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b点时细胞正大量合成RNA d点时细胞中DNA含量达到最高值 处于a~e阶段的细胞数目较多 c~e阶段,细胞内最容易发生基因突变
① ③ ④ ⑦ ⑥ ⑥ ② ⑤ ⑥ ② ③ ⑦ ④ ⑤ ⑥ ② ⑦ ④ ⑤
分别用含放射性同位素32P和放射性同位素35S的培养基培养噬菌体 分别用32P和35S标记的噬菌体,去侵染未标记的大肠杆菌 用35S标记噬菌体的侵染实验中,沉淀物存在大量的放射性 32P和35S标记的噬菌体侵染细菌的实验说明了DNA是主要的遗传物质
b点时刻,细胞正大量合成RNA d点时刻,细胞中DNA含量达到最大值 ce段,细胞最容易发生基因突变 在显微镜下,处于ae段的细胞数目最多
目的是得到DNA含有32P.标记或蛋白质含有35S.标记的噬菌体 目的是得到含有32P.标记的DNA和35S.标记的蛋白质 该实验设计的自变量是一组的培养基中含有35S.和32P.,另一组不含放射同位素标记的元素 该实验设计的自变量是在培养基上是否培养了噬菌体
b点时刻,细胞正大量合成RNA d点时刻,细胞中DNA含量达到最大值 ce阶段,细胞发生DNA复制 在显微镜下,处于ae阶段的细胞数量最多
b点时刻,细胞正大量合成RNA d点时刻,细胞中DNA含量达到最大值 处于a~c阶段的细胞数目较多 c~e阶段,细胞内最容易发生基因突变
b点时刻,细胞正大量合成DNA c~e阶段,细胞内最容易发生基因突变 d点时刻,细胞中的DNA含量达到最大值 处于c~e阶段的细胞数目较多
b点时刻,细胞正大量合成RNA d点时刻,细胞中DNA含量达到最高值 c—e时刻,细胞内最容易发生基因突变 处于a—e阶段的细胞数目较多
b点时刻,细胞正大量合成RNA d点时刻,细胞中DNA含量达到最高值 a~e阶段,处于有丝分裂间期 处于a~e阶段的细胞数目较多
分别用含放射性同位素32P和放射性同位素35S的培养基培养噬菌体 分别用32P和35S标记的噬菌体,去侵染未标记的大肠杆菌 用35S标记噬菌体的侵染实验中,沉淀物存在大量的放射性 32P和35S标记的噬菌体侵染细菌的实验说明了DNA是主要的遗传物质
b点时细胞正大量合成RNA d点时细胞中DNA含量达到最高值 处于a--e阶段的细胞数目较多 c~e阶段,细胞内最容易发生基因突变
分别用含有放射性同位素35S.和放射性同位素32P.的培养基直接培养噬菌体 分别用35S.和32P.标记的噬菌体侵染未被标记的大肠杆菌,进行长时间的保温培养 32P标记的T2噬菌体侵染大肠杆菌,具有放射性子代噬菌体比例高 32P标记的T2噬菌体侵染大肠杆菌,放射性同位素主要分布于试管的沉淀物中