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ULSI对光刻的要求

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光刻包括两种基本的工艺类型负性光刻和两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同前者是后者是

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晶片经过显影后进行坚膜坚膜的主要作用有

除去光刻胶中剩余的溶剂增强光刻胶对晶片表面的附着力提高光刻胶的抗刻蚀能力有利于以后的去胶工序减少光刻胶的缺陷

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什么是光刻加工技术试简述光刻加工的原理和工艺流程

什么叫光刻光刻工艺质量的基本要求是什么

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对正性光刻来说剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图__复制

有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区刻蚀区和扩散区

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在深紫外曝光中需要使用CA光刻胶它的优点在于

CA光刻胶对深紫外光吸收小 CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化 CA光刻胶在显影液中的可溶性强有较高的光敏度有较高的对比度

什么是正光刻胶负光刻胶

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