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高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。

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铜与氯形成的化合物挥发能力不好因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行而必须施以

等离子体刻蚀反应离子刻蚀湿法刻蚀溅射刻蚀

有关等离子体的叙述不正确的是

等离子体是物质的另一种聚集状态等离子体是很好的导体水不可能形成等离子体状态等离子体的用途十分广泛

在刻蚀过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气能够提高刻蚀的速率

铜铝金二氧化硅

离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的和引出部分组成

电极分析器加速器腔体

是一种利用高密度等离子云团来摧毁进入其中的导弹飞机等目标的武器

温压弹超空泡武器粒子束武器等离子体武器

缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是高密度等离子体化学气相淀积和

与干法刻蚀相比湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比对器件不会带来等离子体损伤并且设备简单

在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的内加入适量的氢气能够降低刻蚀的速率

气体等离子体固体液体

等离子体电视机与液晶电视机的区别是

等离子体显示单元是自发光器件高频视频信号的接口电路射频和中频信号处理电路伴音信号处理电路

激光在什么样的等离子体中能够传输两者必须满足怎样的频率关系激光焊接光致等离子体对焊接质量有何影响采用

等离子体低温灰化法对生物样品中的有机物分解速度很快样品损失低其原因是

等离子体的加热效能极强生成的氧等离子体具有极强氧化能力等离子体不会破坏待测组分等离子体对蛋白质分解彻底

下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有

CF₄ BCl₃ Cl₂ F₂ CHF₃

离子源腔体中的气体放电形成而引出正离子的

等离子体不等离子体正离子体液电流

为了避免在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表

多晶硅单晶硅铝硅铜合金铜

等离子体光源ICP具有__检出限低____基体效应及自吸效应小____精密度高____线性范围宽_

干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件例如大于3微米

影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面

等离子体蚀刻系统的形态等离子体蚀刻的参数光刻胶待蚀刻薄膜的淀积参数条件

下列关于等离子体的叙述正确的是

物质一般有固态、液态和气态三态，等离子体被认为是物质存在的第四态为了使气体变成等离子体，必须使其通电等离子体通过电场时所有粒子的运动方向都发生改变等离子体性质稳定，不易发生化学反应

原子发射光谱分析中的ICP光源是指

电感耦合高频等离子炬直流等离子体喷焰交流等离子体喷焰电容耦合微波等离子炬

下列有关等离子体的说法中不正确的是

等离子体内部全部是带电荷的微粒等离子体中正、负电荷大致相等等离子体具有很好的导电性等离子体用途十分广泛

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