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说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点。
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集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
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光刻包括两种基本的工艺类型负性光刻和两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同前者是后者是
在外延工艺中如果膜和衬底材料例如硅衬底上长硅膜这样的膜生长称为反之膜和衬底材料不一致的情况例如硅衬底上长氧化铝则称为
写出三种半导体制造业的金属和合金和
随着铜布线中大马士革工艺的引入金属化工艺变成刻蚀以形成一个凹槽然后淀积来覆盖其上的图形再利用把铜平坦化至ILD的高度
集成电路的发展时代分为中规模集成电路MSI超大规模集成电路VLSI
从半导体制造来讲晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是和
晶圆制备中的整型处理包括和
氧化物有两个生长阶段来描述分别是线性阶段和抛物线阶段
立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所它由垂直的和组成
对芯片互连的金属和金属合金来说它所必备一些要求是高黏附性可靠性抗腐蚀性应力等
CZ直拉法的目的是
热扩散利用驱动杂质穿过硅的晶体结构这种方法受到和的影响
淀积膜的过程有三个不同的阶段第一步是第二步是第三步是
刻蚀剖面指的是有两种基本的刻蚀剖面刻蚀剖面和刻蚀剖面
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种分别是扩散和扩散杂质只有在成为硅晶格结构的一部分即才有助于形成半导体硅
热氧化工艺的基本设备有三种和
当硅片暴露在空气中时会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜
列出热氧化物在硅片制造的4种用途场氧化层和
硅片平坦化的四种类型分别是部分平坦化和
二氧化硅是一种介质材料不导电
用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分气体分配系统尾气系统和
栅氧一般通过热生长获得
CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的
冶金级硅的纯度为98%
用来做芯片的高纯硅被称为英文简称有时也被称为
85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的
集成电路制造中掺杂类工艺有和两种
晶圆的英文是其常用的材料是和
制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片称为硅片或在硅片制造厂由硅片生产的半导体产品又被称为或
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