首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
查看本题答案
包含此试题的试卷
集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
固体主要带有静电的介质是材料
绝缘
导体
半导体
半导体和导体
为什么有的纯瓷套管在法兰附近采用涂半导体釉或喷铝工艺
交联聚乙烯电缆内半导体层绝缘层和外半导电层同进挤出工艺的优点是什么
为什么光敏电阻多采用N型半导体
为什么n型或p型半导体的本征半导体比本征半导体更易导电
可用作电容器的介质
导体
半导体
绝缘体
C都可以
因半导体中掺加的杂质不同含杂质半导体可分为________型半导体 和________型半导体两类8
在半导体制造技术中高k介质和低k介质各自应用在什么地方为什么
氮化硅Si3N4是一种新型陶瓷材料的主要成分耐高温常用于制造业航天领域.Si3N4中硅元素Si的化合
+2
+3
+4
﹣4
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺使两边分别形成P型和N型半导体那么在这两种半导体的交界处会形成一
半导体的导电性介于导体与绝缘体之问常用的半导体材料有硅Si和锗Ge原子结构的最外层轨道上有个价电子
2
3
4
5
氮化硅的晶型及特点α-Si3N4低温型1400—1600℃硬度高不稳定β-Si3N4高温型长柱状或斜
半导体材料硅中掺砷后成为N型半导体它的自由电子的浓度大大增加导电能力也大大增加一块N型半导体的样品的
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子因此说N型半导体带负
化学—选修3 物质结构与性质硅是重要的半导体材料构成了现代电子工业的基础 回答下列问
为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用
关于PN型半导体内参与导电的介质下列说法最为合适的是______
自由电子、空穴、位于晶格上的离子
无论 P 型还是 N 型半导体,自由电子、空穴都是导电介质
对于 P 型半导体,空穴是唯一的导电介质
对于 N 型半导体,空穴是唯一的导电介质
简述什么是半导体什么是N型半导体什么是P型半导体
交联聚乙烯电缆内半导体电层绝缘层和外半导电层同时挤出工艺的优点是什么
半导体材料是现代电子工业的重要材料下列元素可以制造半导体材料的是
He
Si
I
K.
热门试题
更多
CD是指硅片上的最小特征尺寸
横向扩散
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性
简述两步扩散的含义与目的
简述MCM的概念分类与特性
光刻工艺的主要流程有哪几步什么是光刻工艺的分辨率从物理角度看限制分辨率的因素是什么最常用的曝光光源是什么
埋层芯片互联-后布线技术的结构特点及发展趋势
简述MCM的组装技术
简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层
有限表面源扩散
说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点
片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别
载带自动焊的分类及结构特点
封装中涉及到的主要材料有哪些
矩形片式电阻由哪几部分组成各部分的主要作用是什么
其它表面组装元件主要是指哪些元件这些元件各有什么特点分别用在哪些场合
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处低能量则用于超浅结注入
侧墙用来环绕多晶硅栅防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通
简述离子注入工艺中退火的主要作用
化学气相沉积
替位式扩散
简述MCM的BGA封装
BGA的封装结构和主要特点
人员持续不断地进出净化间是净化间沾污的最大来源
晶圆的英文是什么简述晶圆制备的九个工艺步骤
溅射镀膜
世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的
插装元器件与表面贴装元器件主要区别
倒装焊芯片凸点的分类结构特点及制作方法
大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术
热门题库
更多
集成电路技术
信息处理技术
雷达工程
可编程控制器
SDH光传输设备开局与维护
工程地质
建筑施工
建筑设备工程
地基处理
道路勘测设计
供热工程
土质学与土力学
结构力学
桥梁工程
砌体结构
工程地质与土力学