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片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别?
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集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
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在各种电容中品质因素Q值最低者为
钽电解电容器
铝电解电容器
瓷片电容器
空气电容器
电解电容器的特点是电容量大并且分正负极性
铝电解电容器的型号用表示
CJ
CD
CA
CN
如果把电解电容的极性接反则会使电容击穿损坏
电解电容器纸
铝电解电容器及钽铌电解电容器为
无极性电容器
有极性电容器
多极性电容器
电子仪器仪表装配中电容器安装顺序为
有机质电容器、玻璃釉电容器、电解电容器、瓷介电容器
电解电容器、有机质电容器、玻璃釉电容器、瓷介电容器
玻璃釉电容器、有机质电容器、瓷介电容器、电解电容器
玻璃釉电容器、瓷介电容器、电解电容器、有机质电容器
贴片钽电解电容和贴片二极管一样加色边的一侧为负极
12V直流电源有一只滤波电解电容器110µF/16V损坏了现手头上有一只220µF/10V和一只22
国产电容器字母CZ表示电解电容器
某一电解电容器被击穿用容量相同的电解电容器直接代换就可以
钽电解电容器的型号用表示
CJ
CD
CA
CN
电解电容器是固定电容的一种
在通信设备及高精密电子设备电路中使用的电容器是
电解电容器
无极性铝电解电容器
非固体钽电解电容器
云母电容器
有一种电解电容器无正负极性之分称为电解电容器主要用于交流电路中
用万用表可以判断无标记的电解电容的极性对刚使用不久或刚拆卸下来的电解电容可以用万用表直接测量
电解电容属于有极性电容引脚有正负之分
一只电容器表面标注CD字样它是
铝电解电容器
钽电解电容器
聚丙烯电容器
电解电容器的结构特性
简述电解电容器的结构特点及用途
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制作钨塞的主要工艺步骤是1234磨抛钨
LPCVD反应是受气体质量传输速度限制的
光刻包括两种基本的工艺类型负性光刻和两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同前者是后者是
在外延工艺中如果膜和衬底材料例如硅衬底上长硅膜这样的膜生长称为反之膜和衬底材料不一致的情况例如硅衬底上长氧化铝则称为
写出三种半导体制造业的金属和合金和
随着铜布线中大马士革工艺的引入金属化工艺变成刻蚀以形成一个凹槽然后淀积来覆盖其上的图形再利用把铜平坦化至ILD的高度
集成电路的发展时代分为中规模集成电路MSI超大规模集成电路VLSI
APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上
用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离
氧化物有两个生长阶段来描述分别是线性阶段和抛物线阶段
立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所它由垂直的和组成
对芯片互连的金属和金属合金来说它所必备一些要求是高黏附性可靠性抗腐蚀性应力等
在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD
LPCVD紧随PECVD的发展而发展由660℃降为450℃采用增强的等离子体增加淀积能量即低压和低温
热扩散利用驱动杂质穿过硅的晶体结构这种方法受到和的影响
CVD是利用某种物理过程例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移即原子或分子由源转移到衬底硅表面上并淀积成薄膜
淀积膜的过程有三个不同的阶段第一步是第二步是第三步是
大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案
刻蚀剖面指的是有两种基本的刻蚀剖面刻蚀剖面和刻蚀剖面
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种分别是扩散和扩散杂质只有在成为硅晶格结构的一部分即才有助于形成半导体硅
当硅片暴露在空气中时会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜
列出热氧化物在硅片制造的4种用途场氧化层和
硅片平坦化的四种类型分别是部分平坦化和
二氧化硅是一种介质材料不导电
栅氧一般通过热生长获得
CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的
冶金级硅的纯度为98%
85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的
集成电路制造中掺杂类工艺有和两种
制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片称为硅片或在硅片制造厂由硅片生产的半导体产品又被称为或
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