首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限?为什么现在需要高K值(介电常数)的栅介质?低K介质用在什么地方?为什么?
查看本题答案
包含此试题的试卷
集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
闭锁式纵联保护为什么需要高低定值的两个启动元件
涡流导电仪能用于膜层厚度测量吗为什么
爆炸极限是否是一个固定值为什么
从地表到1—2千米高度称为什么层厚度变化有什么规律
为什么要保证一定的渣层厚度
在半导体制造技术中高k介质和低k介质各自应用在什么地方为什么
一甲输入型安全栅的输入端为什么要串联接入一个标准电阻
为什么说汽车服务是一个大系统
为什么__合成时常常需要高温
宁远之战是明朝自有辽事以来明军对后金军的第一个大胜仗明人称之为什么
为什么会出现吸收限K吸收限为什么只有一个而L吸收限有三个当激发K系荧光Ⅹ射线时能否伴生L系当L系激发
挖开一个海滩剖面你发现砂是一层层的这是为什么
有些人认为若对上师三宝生起一刹那的恶心就要堕入地狱一个大劫那等一个大劫过后我还可以重获人身那时再修持
生石灰在熟化时为什么需要陈伏两周以上为什么在陈伏时需在熟石灰表面保留一层水
为什么轮背内侧距离加一个轮缘厚度不得大于1391mm
为什么要保证钢筋混凝土的保护层厚度
为什么说栅氧化层的生长是非常重要的一道工序
一个理想的淬火介质应具有什么冷却特性为什么
零售业是一个低技术门槛的行业零售经营不需要高端技术和先进理念的支持是否正确为什么
为什么燃料层厚度必须取一个合理值
热门试题
更多
横向扩散
简述两步扩散的含义与目的
简述MCM的概念分类与特性
简述引线框架材料
光刻工艺的主要流程有哪几步什么是光刻工艺的分辨率从物理角度看限制分辨率的因素是什么最常用的曝光光源是什么
埋层芯片互联-后布线技术的结构特点及发展趋势
简述MCM的组装技术
简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层
SMT电路基板SMB的主要特点
有限表面源扩散
说明APCVDLPCVDPECVD各自的含义及特点
片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别
简述模塑料
载带自动焊的分类及结构特点
封装中涉及到的主要材料有哪些
矩形片式电阻由哪几部分组成各部分的主要作用是什么
其它表面组装元件主要是指哪些元件这些元件各有什么特点分别用在哪些场合
侧墙用来环绕多晶硅栅防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通
简述离子注入工艺中退火的主要作用
化学气相沉积
替位式扩散
简述MCM的BGA封装
BGA的封装结构和主要特点
人员持续不断地进出净化间是净化间沾污的最大来源
晶圆的英文是什么简述晶圆制备的九个工艺步骤
溅射镀膜
世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的
插装元器件与表面贴装元器件主要区别
倒装焊芯片凸点的分类结构特点及制作方法
大马士革工艺的名字来源于几千年前叙利亚大马士革的一位艺术家发明的一种技术
热门题库
更多
半导体测试技术
集成电路技术
信息处理技术
雷达工程
可编程控制器
SDH光传输设备开局与维护
工程地质
建筑施工
建筑设备工程
地基处理
道路勘测设计
供热工程
土质学与土力学
结构力学
桥梁工程
砌体结构