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外延
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集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
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什么是外延层为什么在硅片上使用外延层
高考移民的外延大于异地高考的外延
如果A概念的部分外延与B概念的全部外延重合则A与B的外延间可能是.
A真包含B
A真包含于B
B真包含A
B真包含于A
A与B交叉
解释语文学习的外延和生活的外延相等
概念的内涵和外延之间的关系是________
概念的内涵越深,其外延越广
概念的内涵越浅,其外延越广
概念所包含的属性越多,其外延越广
概念所包含的属性越少,其外延越广
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层分为同质外延和异质外延两大类
异地高考的外延要比高考移民的外延小
外延生长方法比较多其中主要的有外延外延金属有机化学气相外延分子束外延固相外延等
通过减少概念的内涵以扩大概念的外延来明确概念外延的逻辑方法叫.
在真包含关系中外延大的那个概念叫做概念外延小的那个概念叫做概念
什么是固相外延SPE及固相外延中存在的问题
高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延
什么是外延层为什么硅片上要使用外延层
概念的内涵和延之间的关系是
概念的内涵越深其外延越广
概念的内涵越浅其外延越广
概念所包含的属性越多其外延越广
概念所包含的属性越少其外延越广
外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层即外延层
延生长方法比较多其中主要的有外延外延金属有机化学气相外延外延原子束外延固相外延等
概念的内涵和外延之间的关系包括
概念的内涵越深其外延越广
概念的内涵越浅其外延越广
概念所包含的属性越多外延越广
概念所包含的属性越少外延越广
在文件公文文书这三个概念中就其外延而言
文件的外延最大,公文次之,文书最小
公文的外延最大,文件次之,文书最小
文书的外延最大,公文次之,文件最小
公文的外延最大,文书次之,文件最小
在文件公文文书这三个概念中就外延而言
文件的外延最大,公文次之,文书最小
公文的外延最大,文件次之,文书最小
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公文的外延最大,文书次之,文件最小
划分后各子项外延之和大于母项外延就会犯的逻辑错误划分后各子项外延之和小于母项外延就会犯的逻辑错误
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CD是指硅片上的最小特征尺寸
曝光后烘焙简称后烘其对传统I线光刻胶是必需的
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性
没有CMP就不可能生产甚大规模集成电路芯片
掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片会导致光刻材料的阴影效应阻碍离子束的注入
扩散运动是各向同性的
硼是VA族元素其掺杂形成的半导体是P型半导体
对于大马士革工艺重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀
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纯净的半导体是一种有用的半导体
离子注入中高能量意味着注入硅片更深处低能量则用于超浅结注入
在刻蚀中用到大量的化学气体通常用氟刻蚀二氧化硅
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%先进的MOS电路不希望发生横向扩散因为它会导致沟道长度的减小影响器件的集成度和性能
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区刻蚀区和扩散区
侧墙用来环绕多晶硅栅防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通
化学气相沉积
芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸即CD
人员持续不断地进出净化间是净化间沾污的最大来源
干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件例如大于3微米
晶圆的英文是什么简述晶圆制备的九个工艺步骤
刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料
溅射镀膜
世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的
高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统
20世纪90年代初期使用的第一台CMP设备是用样片估计抛光时间来进行终点检测的
晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术一次掺杂成功
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步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦曝光和合格产量
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