如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图在Oxy平面的ABCD区域内存在两个场强大小均-X题卡

电子枪发射能力减弱，电子数减少加速电场的电压过高，电子速率偏大偏转线圈局部短路，线圈匝数减少偏转线圈电流过小，偏转磁场减弱

避免被加速的电子与空气分子碰撞、延长电子枪寿命、提高加速管频电场的击穿强度防止加速管老化、延长电子枪寿命、提高高频电场的击穿强度延长电子枪寿命、提高高频电场的击穿强度防止钛窗波疲劳、延长电子枪寿命、提高高频电场的击穿强度提高高频电场的击穿强度、延长电子枪寿命

电子的电势能增加电子的加速度增大电子的动能增加电子从a到b一定沿直线运动

真空室中磁场方向竖直向上真空室中磁场方向竖直向下　电流应逐渐增大电流应逐渐减小

避免被加速的电子与空气分子碰撞、延长电子枪寿命、提高加速管频电场的击穿强度防止加速管老化、延长电子枪寿命、提高高频电场的击穿强度延长电子枪寿命、提高高频电场的击穿强度防止钛窗波疲劳、延长电子枪寿命、提高高频电场的击穿强度提高高频电场的击穿强度、延长电子枪寿命

仅增大励磁线圈中的电流，电子束径迹的半径变大仅升高电子枪加速电场的电压，电子束径迹的半径变小仅升高电子枪加速电场的电压，电子做圆周运动的周期不变要使电子形成如图（乙）中的运动径迹，励磁线圈应通以逆时针方向的电流

励磁线圈中通有顺时针方向的电流仅提高电子枪加速电压，电子做圆周运动的半径变大仅增大励磁线圈中电流，电子做圆周运动的周期将变小仅提高电子枪加速电压，电子做圆周运动的周期将变大

电子枪发射能力减弱，电子数减少加速电场的电压过高，电子速率偏大偏转线圈局部短路，线圈匝数减少偏转线圈电流过大，偏转磁场增强

仅增大励磁线圈中的电流，电子束运动轨迹的半径将变大仅提高电子枪的加速电压，电子束运动轨迹的半径将变大仅增大励磁线圈中的电流，电子做圆周运动的周期不变仅提高电子枪的加速电压，电子做圆周运动的周期不变

如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图。在Oxy平面的ABCD区域内，存在两个场强大小均为E.的匀强电场I.和II，两电场的边界均是边长为L.的正方形（不计电子所受重力）。（1...