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导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。

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二极管的两端电压与电流的关系称作二极管的特性

当二极管两端正向偏置电压大于电压时二极管才能导通

击穿；饱和；门槛。

在晶体二极管的两端加反向电压时反向电阻很大反向电流很小基本上处于状态

导通截止放大

硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少

当二极管两端的电压VD某一值VT时二极管导通

大于小于等于小于或等于

导通后二极管两端电压变化很小硅管约为

0.5V 0.7V 0.3V 0.1V

二极管处于导通状态时二极管的压降

为零硅管0.7V，锗管0.3V 等于电路电压电压不变

硅二极管导通时的正向管压降约锗二极管导通时的管压降约0.3V

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时硅二极管

立即导通到0.3V时才开始导通超过死区电压时才开始导通不导通

半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压________

二极管的两端电压与电流的关系称为二极管的伏安特性

导通后二极管两端电压变化很小锗管约为

0.5V 0.7V 0.3V 0.1V

当反向电压达到某一电压时稳压二极管反向击穿导通电流急剧增加两端电压几乎不变

当反向电压达到某一电压时稳压二极管反向击穿导通电流急剧增加两端电压

变大变小不变几乎不变

二极管导通的条件是加在二极管两端的电压

正向电压大于PN结的死区电压正向电压等于零必须加反向电压正向电压大于零且小于PN结的死区电压

导通后二极管两端电压变小硅管约为

0.5V 0.7V 0.3V 0.1V

导通后二极管两端电压变化很小硅管约为

0.5V 0.7V 0.3V 0.1V

二极管两端加上正向电压后必然会导通

二极管两端加上正向电压就一定会导通

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时硅二极管

立即导通到 0. 3V 才开始导通超过死区电压时才开始导通不会导通

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