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负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

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光刻包括两种基本的工艺类型负性光刻和两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同前者是后者是

解释光刻胶显影光刻胶显影的目的是什么

光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的曝光后硬化成不可溶解的物质这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂由此组成

晶片经过显影后进行坚膜坚膜的主要作用有

除去光刻胶中剩余的溶剂增强光刻胶对晶片表面的附着力提高光刻胶的抗刻蚀能力有利于以后的去胶工序减少光刻胶的缺陷

有关光刻胶的显影下列说法错误的是

负胶受显影液的影响比较小正胶受显影液的影响比较小正胶的曝光区将会膨胀变形使用负胶可以得到更高的分辨率负胶的曝光区将会膨胀变形

什么是负光刻胶

例举出两种光刻胶显影方法例举出7种光刻胶显影参数

最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶

在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么

如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶则这种光刻胶为正胶

若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区光刻时需要使用哪种光刻胶为什么并简介光刻操作流程

对正性光刻来说剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图__复制

有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区刻蚀区和扩散区

在深紫外曝光中需要使用CA光刻胶它的优点在于

CA光刻胶对深紫外光吸收小 CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化 CA光刻胶在显影液中的可溶性强有较高的光敏度有较高的对比度

什么是正光刻胶负光刻胶

解释光刻胶选择比要求的比例是高还是低

光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是光刻胶只对特定波长的光线敏感例如深紫外线和白光而对黄光不敏感

最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶

ARC HMDS 正胶负胶

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