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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

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对于浓度覆盖很宽的杂质原子可以采用方法引入到硅片中

离子注入溅射淀积扩散

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是

在晶片制造中有两种方法可以向硅片中引入杂质元素即热扩散和离子注入

例举离子注入设备的5个主要子系统

第二类回火脆性产生的原因是的缘故

晶粒边界杂质浓度增高晶粒边界杂质浓度降低晶粒内部杂质浓度增高晶粒内部杂质浓度降低

半导体三极管工作过程中

发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

对于非晶靶离子注入的射程分布取决于

入射离子的能量入射离子的质量入射离子的原子序数靶原子的质量、原子序数、原子密度注入离子的总剂量

扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的即杂质浓度大扩散电流大杂质浓度小扩散电流小

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的

能量剂量

是半导体单晶重要电学参数之一它反映了补偿后的杂质浓度与半导体中的载流子浓度有直接关系

虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结取而代之的是离子注入

掺杂用离子注入机将所需要的杂质加入到硅片内部并使在硅片中的数量和浓度分布符合预定的要求

热退火用于消除离子注入造成的损伤温度要低于杂质热扩散的温度然而杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象

三极管实现放大作用的内部条件是发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度.

晶体管具备电流放大的内部条件是

基区薄而其杂质浓度低基区杂质浓度高降低发射区杂质浓度加强电子在基区的复合

离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些

离子注入层的深度主要取决于离子注入的

能量剂量

离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度因而在几乎所有应用中都优于扩散

采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度

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