对于浓度覆盖很宽的杂质原子可以采用方法引入到硅片中

干氧氧化中氧化炉内的气体压力应一个大气压

下列扩散杂质源中不仅是硅常用的施主杂质也是锗常用的施主杂质

在热扩散工艺中的预淀积步骤中硼在900～1050℃的条件下扩散时间大约为宜

通常热扩散分为两个大步骤其中第一个步骤是

一般分析扩散系数考虑两种条件即恒定表面浓度条件和

thermalconductivitygauge的意思是

二氧化硅生长过程中当分凝系数小于1时会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度

pointdefect的意思是

扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺现在主要被用来制作

解决氧化层中的钠离子沾污的方法有

用电容－电压技术来测量扩散剖面分布是用了的原理

扩散炉中的管道一般都是用制作

在空位扩散中如果迁移的空位的原子是杂质原子扩散称为

半导体硅常用的施主杂质是

下列物质中是结晶形态二氧化硅的有

在集成电路工艺中光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是

HeOHNa等元素在900℃下在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s这些元素称为

扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散改变了晶片所以晶片才能被人们所使用

的方法有利于减少热预算

二氧化硅薄膜的折射率是表征其学性质的重要参数

TCP/IP协议中的TCP相当于OSI中的

在确定扩散率的测结深实验中结深的测量是采用HF和的混和液对磨斜角进行化学染色的

当热氧化的最初阶段为限制反应速率的主要原因

钠钾等大离子在二氧化硅结构中是杂质

奉献社会的实质是

当二氧化硅膜很薄时膜厚与时间

下列哪些元素在硅中是快扩散元素

化合物半导体砷化镓常用的施主杂质是

二氧化硅膜的质量要求有

在热扩散工艺中的预淀积步骤中砷和锑的扩散温度为

如果磷在二氧化硅中扩散对扩散率影响最大的因素是

二氧化硅薄膜厚度的测量方法有

在确定扩散率的实验中扩散层电阻的测量可以用测量

干氧氧化法有一些优点但同时它的缺点有

在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时需要将硅片先装入然后再装入扩散炉

扩散工艺现在广泛应用于制作

局域网中使用中继器的作用是

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是

二氧化硅层中的钠离子可能来源于

表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度习惯上常用

采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是的

企业的战略一般由四个要素组成即经营范围资源配置竞争优势以及协同合作其中协同合作是指企业通过共同的努力达到

下列可作为磷扩散源的是

人类的职业道德真正形成于

我们可以通过简单的结深测量和测量来获得扩散层的重要信息

硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是

恒定表面浓度的条件下在整个扩散期间保持恒定表面浓度

超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有

在热扩散工艺中的预淀积步骤中硼在950～1100℃的条件下扩散时间大约为宜

在热扩散工艺中的预淀积步骤中磷的扩散温度为

固体中的扩散模型主要有填隙机制和

采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是的

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶

半导体硅常用的受主杂质是

dryvacuumpump的意思是

干氧氧化法具备以下一系列的优点

在空位扩散中如果迁移到空位的原子是基质原子扩散属于

下列几种氧化方法相比哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些

菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积溶质