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掺杂用离子注入机(将所需要的杂质，加入到硅片内部，并使在硅片中的数量和浓度分布符合预定的要求)

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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是和

对于浓度覆盖很宽的杂质原子可以采用方法引入到硅片中

离子注入溅射淀积扩散

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是

在晶片制造中有两种方法可以向硅片中引入杂质元素即热扩散和离子注入

离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除掺入的

光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上

离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片会导致光刻材料的阴影效应阻碍离子束的注入

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的

能量剂量

化学清洗中是利用硝酸的强和强将吸附在硅片表面的杂质除去

硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些

虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结取而代之的是离子注入

离子注入中高能量意味着注入硅片更深处低能量则用于超浅结注入

不正确的刻蚀将导致硅片报废给硅片制造公司带来损失

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离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么

扩散率越大杂质在硅片中的移动速度就越大

在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时需要将硅片先装入然后再装入扩散炉

耐热陶瓷器皿金属器皿石英舟玻璃器皿

硅片表面吸附杂质清洗顺序是什么

离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段

离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度因而在几乎所有应用中都优于扩散

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