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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

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离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是和

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是

第二类回火脆性产生的原因是的缘故

晶粒边界杂质浓度增高晶粒边界杂质浓度降低晶粒内部杂质浓度增高晶粒内部杂质浓度降低

半导体三极管工作过程中

发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

去水处理系统的环氧乙烷吸收循环水从循环水冷却器之前抽出因为此处杂质浓度最高

通常情况下当氧化物在杂质浓度较低时其在高温条件下引起的扩散主要是

本征扩散非本征扩散互扩散 A+B

表面吸附与下列因素无关

杂质浓度沉淀的总表面积溶液温度容器大小

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的

能量剂量

杂质半导体中多数载流子的浓度取决于

温度杂质浓度电子空穴对数目都不是

焊缝结晶时由于柱状晶继续长大和推移熔池中心处杂质浓度最小

是半导体单晶重要电学参数之一它反映了补偿后的杂质浓度与半导体中的载流子浓度有直接关系

如果半导体中存在多种杂质在通常情况下可以认为基本上属于杂质饱和电离范围其电阻率与杂质浓度的关系可近似

1/（NA-Neｕp 1/（NA-Neup/（NA-Ne 1/（NA+Neｕp

当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时可以提高晶体管最大工作电流

增大基区掺杂浓度减小基区宽度减小发射结面积增大集电区杂质浓度

在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于而多数载流子的浓度则与有很大关系

温度掺杂工艺杂质浓度晶体缺陷空穴自由电子

三极管实现放大作用的内部条件是发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度.

杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种分别是扩散和扩散杂质只有在成为硅晶格结构的一部分即才有助于形成半导

晶体管具备电流放大的内部条件是

基区薄而其杂质浓度低基区杂质浓度高降低发射区杂质浓度加强电子在基区的复合

如果原料气中杂质浓度过高则应及时缩短并适当降低

采用无定形掩膜的情况下进行注入若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000掩蔽膜的厚度

一杯杂质浓度较大的水静止的放在桌子上杂质逐渐沉淀的过程是沉淀过程

悬浮静止拥挤

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