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非晶硒DR设备对环境温度要求最高不能超过 ()

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碳酸钙  非晶钙  碘化铯  非晶硒  非晶硅  
不能超过 55℃  尽可能不要超过 55℃  不能长期超过 55℃  
不能超过40℃;  不能超过50℃;3  不能超过60℃;  不能超过80℃  
非晶硒  碘化铯  钨酸钙  非晶硅  CCD  
没有严格的要求  环境温度最高不超过60度  环境温度最低不超过-40度  应保持在-40至+60度之间  
在 2、5mm间隙中得耐压值,即 10、25、45kV;  油得凝固点为 -10、-25、-45℃;  油得使用环境温度不能超过 10、25、45℃;  油得最高运行温度。  
影像板  增感屏  碘化铯  非晶硒  非晶硅  
25℃  30℃  40℃  
非晶硒  非晶硅  CCD  CD  TFT  
气体电离室  非晶硒  非晶硅  CCD  
温度越高越好  温度越低越好  不低于最高温度要求  不能超过最高温度要求,也不能低于最低温度要求  
非晶硒平板型探测器  非晶硅平板探测器型  IP成像方式  多丝正比室扫描投影DR  CCD摄像机型 DR