用能量禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应-X题卡

为什么发光二极管的PN结要加正向电压才能发光而光电二极管要零偏或反偏才能有光生伏特效应

若半导体材料的禁带宽度为Eg要产生光电效应必须符合

hfhf>Eg hf=Eg

用能量禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应

低于等于或大于大于

光生伏特效应如何产生

大量氢原子由n=4的能量状态向基态跃迁其中由n=4向n=2跃迁时辐射的光子恰好能使某金属发生光电效应

跃迁过程中可放出4种光子跃迁过程可放出6种光子跃迁产生的光子中，有2种能使该金属发生光电效应跃迁产生的光子中，有4种能使该金属发生光电效应

关于光电效应的产生条件及发生几率叙述错误的是

光子能量与电子结合能必须接近相等才容易产生光电效应光电效应大约和能量的三次方成正比轨道电子结合的越紧，越容易产生光电效应在低原子序数元素中，光电效应都产生在K层光电效应发生概率和原子序数的三次方成正比

光电池的工作原理是基于光生伏特效应的硅光电池是在N型硅片中掺入P型杂质形成一个大面积的PN结

受光照射的物质在一定方向产生电势的现象叫

外光电效应光生伏特效应内光电效应光电磁效应

光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应

有关对光电效应的解释下列说法正确的是

金属内的电子可以吸收珍上或一个以上的光子，当电子积累的能量足够大时，就能从金属中逸出能否产生光电效应现象，决定于入射光光子的能量是否大于或等于金属的逸出功发生光电效应时，若入射光越强，则光子的能量就越大，光电子的最大初动能就越大用频率是v₁的绿光照射某金属恰好发生了光电效应，而改用频率是v₂的黄光照射该金属一定发生光电效应

PN结光生伏特效应

电子集中的P区电子集中的N区结表面电子集中的P区表面电子集中的N区表面

关于光电效应下列说法中正确的是

光照强度相同时，光电流随入射光频率的增大而增大光照强度相同时，光电子的最大初动能越大，光电流就越小光子本身所具有的能量取决于光子本身的频率用频率是ν₁的绿光照射某金属不能发生光电效应，则改用频率是ν₂的红光照射该金属可能发生光电效应

为什么PN结会产生光伏特效应

半导体激光器产生光子是对PN结注入

正向电流反向电流光子

在诊断X线能量范围内错误的是

不发生电子对效应相干散射不产生电离过程康普顿效应产生的几率与入射光子的能量成反比光电效应产生的几率与能量成正比不发生光核反应

简述光生伏特效应如何产生

简述光生伏特效应中正确的是

用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结； p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；平衡载流子破坏原来的热平衡；非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。