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在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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微电子学《微电子学》真题及答案
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半导体集成电路是微电子技术的核心下面有关集成电路的叙述中错误的是
集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路
集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高
集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片
集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成
集成电路制造通常包括集成电路设计工艺加工封装等工序
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被覆盖及保护的部分以化学作用或是物理作用
二氧化硅
氮化硅
光刻胶
去离子水
在双极集成电路制造中为什么要采用外延和埋层工艺
集成电路的基本制造工艺是首先是对圆柱形的单晶硅进行切片生产大片的并在其上制造出大量电路单元然后按照制
在集成电路工艺中光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是
刻蚀
氧化
淀积
光刻
片上系统是嵌入式处理器芯片的一个重要品种下列叙述中错误的是
SoC已经成为嵌入式处理器芯片的主流发展趋势
它是集成电路加工工艺进入到深亚微米时代的产物
片上系统使用单个芯片进行数据的采集、转换、存储和处理,但不支持I/O功能
片上系统既能把数字电路也能把模拟电路集成在单个芯片上
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺
刻制图形
绘制图形
制作图形
若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区光刻时需要使用哪种光刻胶为什么并简介光刻操作流程
器件的横向尺寸控制几乎全由来实现
掩膜版
扩散
光刻
双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路
下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是
膜集成电路
半导体集成电路
混合集成电路
模拟集成电路
以下关于集成电路布图设计的说法正确的是
集成电路布图设计实质是一种三维配置形态的图形设计
集成电路布图设计是工业外观设计
集成电路布图设计是图形作品
集成电路布图设计是著作权意义上的造型艺术作品
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作简而言之这些操作可以分为四大基本类薄膜制作刻
集成电路制造工艺中主要有哪两种隔离工艺目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺为什么
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低
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光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力
集成电路制造中掺杂类工艺有和两种
集成电路的基本制造工艺是首先是对圆柱形的单晶硅进行生产大片的并在其上制造出大量电路单元
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