刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。

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数百数千数万

数百米到数公里数公里到数百公里数千公里数百米

数百欧姆数千欧姆数兆欧姆

刻蚀速率选择性各向同性各向异性

除去光刻胶中剩余的溶剂增强光刻胶对晶片表面的附着力提高光刻胶的抗刻蚀能力有利于以后的去胶工序减少光刻胶的缺陷

骨骼粪便肌肉尸体

数万伏数千伏数百伏数十伏

数十数百数千数万

数十欧姆以上数百欧姆以上数千欧姆以上数百千欧姆以上

数十至数百千安数至数十千安数百至数千安数十至数百安

a.离子束刻蚀、激光刻蚀 b.干法刻蚀、湿法刻蚀 c.溅射加工、直写加工

可达数千公里，与飞行高度无关可达数千公里，与飞行高度有关可达数百公里，与飞行高度无关可达百千公里，与飞行高度有关

数十至数百千安数千安至数十千安数百安至数千安数十至数百安

数米到数百米数米到数千米数百米到数千米数千米到一万米

数十米到数百米数百米到1千米 1千米 1千米以上

细胞数为数百至数千,以多核细胞为主，蛋白增高，糖降低，氯化物轻度降低细胞数为数百,以单核细胞为主，蛋白增高明显，糖,氯化物降低细胞数为数百至数千,以多核细胞为主，蛋白正常，糖降低，氯化物正常细胞数为数十至数百,以单核细胞为主，蛋白轻度增高，糖,氯化物正常细胞数正常，蛋白正常，糖及氯化物正常

数十至数百千安数千安至数十千安数百安至数千安数十至数百安