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在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。

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对NPN型晶体管如果在集电极和发射极施加电压其中集电极为正电压同时在基极上也施加正电压那么

集电极电流导通基极电流导通发射极电流导通电流都不导通

设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压如图所示p型硅接低电位金属接高电位

关于N型半导体的下列说法正确的是______

只存在一种载流子：自由电子在二极管中，N 型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成 N 型半导体在 PNP 型的晶体管中，基区正是由 N 型半导体构成

P型半导体的多子是空穴所以P型半导体带正电

P型半导体是

纯净半导体掺杂半导体带正电的 PN结

在一块半导体基板上陈列了10万颗金属颗粒每一颗粒充当电容器的一极外表面绝缘手指贴在其上构成电容器的另

指纹的嵴处与半导体基板上对应的金属颗粒距离近，电容小指纹的峪处与半导体基板上对应的金属颗粒距离远，电容大对每个电容感应颗粒都充电至某一参考电压，在手指靠近时，各金属电极所带电荷量增大对每个电容感应颗粒都充电至某一参考电压，在手指远离时，各金属电极均处于充电状态

常用半导体二极管在一个PN结的两端各引出一个电极从P型半导体引出的电极是从N型半导体引出的电极是

正极；负极负极；正极

CCD电荷耦合器件的基本单元是MOS电容在P型硅基质上通过氧化生成的氧化膜即二氧化硅绝缘层再在绝缘

光刻技术转移电荷光电效应光电转化

设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压如图所示p型硅接低电位金属接高电位

因为P型半导体中空穴多于电子因此P型半导体呈正电性

P型半导体的多数载流子是空穴因此P型半导体带正电

N型半导体中的自由电子多于空穴而P型半导体中的空穴多于自由电子是否N型半导体带负电而P型半导体带正电

导体导电是由于导体中的自由电荷定向移动这些可以移动的电荷又叫载流子例如金属导体的载流子是自由电子.现

如果是p型半导体，有U_M>U_N
  如果是n型半导体，有U_M>U_N
  如果是p型半导体，有U_MN
  如果是n型半导体，有U_MN

关于两种半导体带电的说法正确的是

P型半导体主要靠空穴导电，所以定是带正电 N型半导体主要靠电子导电，所以定是带负电 P型半导体和N型半导体对外都不导电

由于P型半导体中含有大量空穴载流子N型半导体中含有大量电子载流子所以P型半导体带正电N型半导体带负电

下列说法正确的是______

P 型半导体带正电 N 型半导体带正电 PN 结为电的中性体 PN 结存在内电场，用导线短接时，有电流产生

关于P型半导体的下列说法错误的是______

空穴是多数载流子在二极管中，P 型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成 P 型半导体在 NPN 型的晶体管中，基区正是由 P 型半导体构成

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子因此说N型半导体带负

当在两金属电极间加上电压时电极上就会存储电荷所以电容器是储能元件

对NPN型晶体管如果在集电极和发射极施加电压其中集电极为正电压同时在基极上也施加正电压那么

集电极电流导通基极电流导通发射极电流导通电流都不导通

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