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可将
稍排向唇侧，唇侧做基托 可将稍排向唇侧，唇侧不做基托 可将稍排向舌侧，唇侧做基托 可将稍排向舌侧，唇侧不做基托 可将排向舌侧，与下前牙轻接触
上颌中切牙唇面与堤唇面一致 上颌侧切牙切线与平面接触 上颌尖牙牙尖与平面平齐 上颌尖牙颈部向唇侧微突 上颌中切牙近中接触点与中线一致
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用“T”形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
将中切牙正常排列 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧
使下前牙排向舌侧 与上前牙适当接触 略改变牙的唇舌向倾斜 使下前牙稍排向唇侧 切端向唇侧倾斜
增加压力，与黏膜紧密接触 唇颊侧龈端尽量减少接触面积 桥体唇颊侧龈端与黏膜接触，颈缘线与邻牙一致 尽量增大与黏膜接触面积 保持与黏膜之间一定的间隙，利于清洁
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用"T"形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用"T"形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用“T”形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
将中切牙正常排列 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧
将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧 将中切牙按正常排列
盖嵴式桥体 改良盖嵴式桥体 悬空式桥体 单侧接触式桥体 舟底式桥体
鞍基式桥体 单侧接触式桥体 盖嵴式桥体 船底式桥体 悬空式桥体
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用“T”形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
将中切牙正常排列 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向腭侧 将中切牙近中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧 将中切牙远中稍向唇侧，尖牙颈部略向唇侧
桥体唇颊侧龈端与黏膜接触，颈缘线与邻牙一致 尽量增大与黏膜接触面积 保持与黏膜之间一定的间隙，利于清洁 与黏膜紧密接触，保持一定压力 唇颊侧龈端尽量减少接触面积
上颌侧切牙切缘与
平面接触 上颌尖牙牙颈部向唇侧稍突 上中切牙唇面与堤唇面一致 上颌尖牙牙尖与平面平齐 上颌中切牙近中接触点位于中线上
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用“T”形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用“T”形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
桥体距离牙槽嵴黏膜的距离不小于3mm，且龈底呈球形 采用单侧接触式桥体，与牙槽嵴黏膜接触时，无静压力 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应无压迫 采用“T”形接触式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有压迫 采用船底式桥体，与牙槽嵴黏膜形成接触时应有静压力
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