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STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？

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铜与氯形成的化合物挥发能力不好因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行而必须施以

等离子体刻蚀反应离子刻蚀湿法刻蚀溅射刻蚀

定义刻蚀速率并描述它的计算公式为什么希望有高的刻蚀速率

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的所以其就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿

刻蚀速率选择性各向同性各向异性

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进

什么情况下采用两次烘干法测定水分为什么

什么是干法刻蚀什么是湿法刻蚀比较二者的优缺点

在生产过程中必须使用来完成浅沟槽隔离STI

单晶硅刻蚀多晶硅刻蚀二氧化硅刻蚀氮化硅刻蚀

与干法刻蚀相比湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比对器件不会带来等离子体损伤并且设备简单

在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是和

为什么异步电动机中鼠笼式转子的槽数一般不采用奇数槽

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种

a.离子束刻蚀、激光刻蚀 b.干法刻蚀、湿法刻蚀 c.溅射加工、直写加工

什么是干法刻蚀干法有几种刻蚀方法

干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件例如大于3微米

干法刻蚀有哪几种相应的内容是什么

根据原理分类干法刻蚀分成几种各有什么特点

高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统

下列有关ARC工艺的说法正确的是

ARC可以是硅的氮化物可用干法刻蚀除去 ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 ARC膜也可以通过CVD的方法形成

从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类

湿法刻蚀和干法刻蚀的区别

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种

干法刻蚀、湿法刻蚀离子束刻蚀、激光刻蚀溅射加工、直写加工以上都可以

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