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从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？

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定义刻蚀速率并描述它的计算公式为什么希望有高的刻蚀速率

由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的所以其就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿

刻蚀速率选择性各向同性各向异性

在集成电路制造工艺步骤中光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度并计算这些点的刻蚀速

选择性均匀性轮廓刻蚀图案

什么是干法刻蚀什么是湿法刻蚀比较二者的优缺点

硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于

a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工； b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工； c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；

在集成电路工艺中光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是

刻蚀氧化淀积光刻

对于大马士革工艺重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀

什么是刻蚀

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者

二氧化硅氮化硅多晶硅硅化金属单晶硅多晶硅铝铜铝硅

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种

a.离子束刻蚀、激光刻蚀 b.干法刻蚀、湿法刻蚀 c.溅射加工、直写加工

微细加工工艺方法主要有光刻加工体刻蚀加工技术面刻蚀加工技术LIGA技术和

刻蚀剖面指的是有两种基本的刻蚀剖面刻蚀剖面和刻蚀剖面

大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀

什么是干法刻蚀干法有几种刻蚀方法

下列有关ARC工艺的说法正确的是

ARC可以是硅的氮化物可用干法刻蚀除去 ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 ARC膜也可以通过CVD的方法形成

STI隔离技术中为什么采用干法离子刻蚀形成槽

无刻蚀镀铁是为了而出现的镀铁新工艺Ⅰ.提高镀铁质量Ⅱ.发展镀铁工艺Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点Ⅳ.提高镀铁

Ⅰ＋Ⅲ＋Ⅴ Ⅰ＋Ⅳ＋Ⅴ Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅴ Ⅱ＋Ⅳ＋Ⅴ

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种

干法刻蚀、湿法刻蚀离子束刻蚀、激光刻蚀溅射加工、直写加工以上都可以

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