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粒子在一维无限深方势阱() 中运动,受到微扰的作用。求第n个能级的一级近似,并分析所得结果的适用条件。
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国家统考科目《问答》真题及答案
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图中的实线表示电场线虚线表示只受电场力作用的带正电粒子的运动轨迹粒子先经过M.点再经过N.点可以判定
M.点的电势大于N.点的电势]
M.点的电势小于N.点的电势
粒子在M.点受到的电场力大于在N.点受到的电场力
粒子在M.点受到的电场力小于在N.点受到的电场力
图中的实线表示电场线虚线表示只受电场力作用的带正电粒子的运动轨迹粒子先经过M.点再经过N.点可以判定
M.点的电势大于N.点的电势
M.点的电势小于N.点的电势
粒子在M.点受到的电场力大于在N.点受到的电场力
粒子在M.点受到的电场力小于在N.点受到的电场力
如图所示虚线表示电场的一簇等势面且相邻等势面间电势差相等一个带正电的粒子以一定的初速度进入电场后只在
N.点的电势高于M.点的电势
该粒子在N.点的电势能比在M.点的电势能大
该粒子在M.点的速率小于在N.点的速率
该粒子在M.点受到的电场力比在N.点受到的电场力大
如图所示虚线表示电场的一族等势面且相邻等势面电势差相等一个带正电的粒子以一定的初速度进入电场后只在电
N.点的电势高于M.点的电势
粒子在N.点的电势能比在M.点的电势能小
粒子在M.点的速率小于在N.点的速率
粒子在M.点受到的电场力比在N.点受到的电场力大
粒子在二维无限深方势阱中运动加上微扰H=λxy后求基态和第一激发态能级的一级微扰修正
两个无相互作用的粒子质量均为m置于一维无限深方势阱0<x<a中对下列两种情况写出两粒子体系可具
一维谐振子系统哈密顿量为设受到微扰的作用试求对第n个谐振子能级的一级微扰修正 已知矩阵元
图中的实线表示电场线虚线表示只受电场力作用的带电粒子的运动轨迹粒子先经过M.点再经过N.点可以判定
M.点的电势大于N.点的电势
M.点的电势小于N.点的电势
粒子在M.点受到的电场力大于在N.点受到的电场力
粒子在M.点受到的电场力小于在N.点受到的电场力
两个无相互作用的粒子质量均为m置于一维无限深方势阱0<x<a中对下列两种情况写出两粒子体系可具
如图所示实线表示电场线虚线表示只受电场力作用的带正电粒子的运动轨迹粒子先经过M.点再经过N.点可以判
M.点的电势大于N.点的电势
M.点的电势小于N.点的电势
粒子在M.点受到的电场力大于在N.点受到的电场力
粒子在M.点受到的电场力小于在N.点受到的电场力
质量为m的粒子被限制在 a以的一维无穷深方势阱中初始时刻其归一化波函数为 求 t>0
金属中存在着大量的价电子可理解为原子的最外层电子价电子在原子核和核外的其他电子产生的电场中运动电子在
具有费米能的电子跳出势阱时的动能
具有费米能的电子跳出势阱时的动能
若增大激光器的强度,具有费米能的电子跳出势阱时的动能增大
若增大激光器的强度,具有费米能的电子跳出势阱时的动能不变
在金属中存在大量的价电子可理解为原子的最外层电子价电子在原子核和核外的其他电子产生的电场中运动电子在
具有费米能的电子跳出势阱时的动能E.
k
=hv﹣V+E
f
具有费米能的电子跳出势阱时的动能E.
k
=hv﹣V.﹣E.
f
若增大激光器的发光频率,具有费米能的电子跳出势阱时的动能增大
若增大激光器的发光强度,具有费米能的电子跳出势阱时的动能不变
质量为m的粒子被限制在 a以的一维无穷深方势阱中初始时刻其归一化波函数为 求 在t=
在一维无限深方势阱0<x<a中运动的粒子受到微扰作用试求基态能量的一级修正
粒子在一维无限深方势阱中运动受到微扰的作用求第n个能级的一级近似并分析所得结果的适用条件
粒子在一维势场Vx=A|x|n-∞<x
粒子在一维对称无限深方势阱中运动设t=0时粒子所处状态为其中为系统第n个能量本征态求t>0时的
粒子在一维对称无限深方势阱中运动设t=0时粒子所处状态为其中为系统第n个能量本征态求t>0时的
为使电荷包实现定向转移需要控制好相邻栅极上的从而调节其下对应势阱的深浅电压的绝对值越大势阱就越电荷包
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表面复合速度
一圆形小线圈由50匝表面绝缘的细导线绕成其圆面积为S=4.0cm2放在另一个半径为R=20cm的大圆线圈中心大圆形线圈由100匝表面绝缘的细导线绕成如图所示两者同轴真空磁导率μ0=4π×10-7牛顿/安培2 求这两线圈的互感M
如图所示电源电动势ε1=3Vε2=12V其内阻均可忽略R1=8ΩR2=4.4ΩR3=2Ω求 K断开时A点的电势VA=
如图所示质量为m的质点在半径为r的光滑球面上从最高点静止开始下滑球固定不动角度定义如图势能零点选在最高点处试求 当质点还在球面上时以角度为变量的势能函数
已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3ND=1020cm-3 画出电场Ex及电势Vx图硅中本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3硅的介电常数εr=11.9真空介电常数E0=8.85×10-14F/cm玻耳兹曼常数k0=1.38×10-23/K300K时k0T=0.026eV
如图所示质量为m的质点在半径为r的光滑球面上从最高点静止开始下滑球固定不动角度定义如图势能零点选在最高点处试求 当质点还在球面上时以角度为变量的径向和切向加速度
使用增透膜可以减少玻璃的反射在玻璃基片折射率为n1上镀有一层折射率为n2的薄膜1<n1<n2对特定波长λ的单色光由空气垂直入射到薄膜上 求具有最佳透射效果的最小镀膜厚度d
如图所示一长为£的均匀细木棒质量为M公斤可绕垂直于纸面的轴0无摩擦地摆动初始时棒竖直悬垂现有质量为m的子弹以水平速度V从A点射入棒内A点与0的距离为求 棒的最大偏转角
设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压如图所示p型硅接低电位金属接高电位使半导体表面层出现耗尽状态 若p-si的表面势Vs=0.4V外加电压为5V受主杂质浓度NA=1016/cm3求耗尽层厚度硅的介电常数εr=11.9真空介电常数ε0=8.85×10-14F/cm电子电量q=1.60×10-19C
9eV的电子碰撞基态氢原子己知氢原子基态电离能是13.6eV不考虑精细结构求受激发的氢原子向低能级跃迁时发出的光谱线能量
对于斯特恩-盖拉赫实验回答以下问题用一束处于基态的汞原子1S0会产生怎样的图形为什么
简述半导体的几何磁阻效应
如图电路若已知在AB两点问的电压为ut=u0cosωt求 AB两点间的复阻抗
在单色光杨氏干涉实验中一条光路上放置一块玻璃片它的折射率为力厚度为d设无玻璃片时接收屏中心点处的光强为I0忽略玻璃片的吸收求 d取什么值时接收屏中心点处光强最小
假设“神州六号”飞船的质量为m正在绕地球作圆周运动圆半径为R0速率为v0某一时刻接到地面指令要求变轨飞行后火箭点火给“神六”增加了向外的径向速度分量vr<v0于是飞船的轨迹发生了变化 试推导出飞船在任意轨道上受到的引力表达式[*]其中r为神州六号飞船到地球球心的距离
如图电路若已知在AB两点问的电压为ut=u0cosωt求 电流与电压的位相差
若用实验的方法检验某单色光是部分偏振光还是椭圆偏振光试问如何区分部分偏振光和椭圆偏振光
晶格常数为a的一维晶格其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量h=6.63×10-34s为普朗克常数a=0.314nm求 1.禁带宽度 2.导带底电子有效质量 3.价带顶电子有效质量 4.价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
简述霍耳效应
延长线过圆心的两根长直导线与均匀金属圆环相接于AB两点如图所示直导线上通有直流电I求 通过圆弧l1段的电流I1与通过圆弧l2段的电流I2的比值
如下图所示半径为R的竖直半圆环轨道在B点与直轨道相接小滑块在外力的作用下由静止开始从A点出发作向左的匀加速直线运动到达B点时撤销外力小滑块无摩擦地冲上半圆环轨道到达最高点C时恰能满足在圆环上作圆周运动并以此速度抛出刚好落回到原来的出发点A处求 小滑块落回到A点时的瞬时切向加速度大小
p-n结势垒电容
如图所示质量为m的质点在半径为r的光滑球面上从最高点静止开始下滑球固定不动角度定义如图势能零点选在最高点处试求 质点落地时水平方向前行的距离
如图所示在粗糙的水平面上有一弹簧振子已知物体的质量是m=1.0公斤弹簧的弹性系数是k=100牛顿/米摩擦系数μ=0.2现把物体m从平衡位置拉伸0.07米后释放振子由静止开始运动运动方程的普遍形式可写为x=Acosωt+φ0+B 求物体m到达最左端的时间
如图所示有一密度均匀的扇形板质量为M半径为R扇形角度为θ=π/3竖直悬挂在支架上可绕垂直于纸面的轴无摩擦地摆动现有一颗质量为m的子弹在支架下方距支点竖直距离为2R/3的位置处以水平速度v0射向静止扇形板后停留在板上A点处求 子弹射入前扇形板的转动惯量
平面正六方晶格如图所示其矢量为 式中a为六角形两个平行对边间的距离 证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数不考虑2π2因子
如图所示长L质量M的平板静止放在光滑水平面上质量m的小木块以水平初速V0滑入平板上表面己知小木块与平板的上表面间摩擦系数为μ试求 小木块不会从平板上表面滑离的条件
一条无穷长直导线在一处弯成1/4圆弧构成如图所示的形状已知圆弧的半径为R圆心为0直线的延长线都通过圆心若导线中的电流为I求0点的磁感应强度
如图所示有一密度均匀的扇形板质量为M半径为R扇形角度为θ=π/3竖直悬挂在支架上可绕垂直于纸面的轴无摩擦地摆动现有一颗质量为m的子弹在支架下方距支点竖直距离为2R/3的位置处以水平速度v0射向静止扇形板后停留在板上A点处求 要使扇形板的摆动角度超过π/3v0至少要多大
一根截面为圆形的长直导线其半径为R通有均匀分布在横截面上的电流I在导体内部有一圆柱形的半径为a的孔洞其轴与长直导线轴平行轴心相距为b截面如图所示求孔洞内任意一点P的磁场强度
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