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总结使用集成电路的注意事项是什么?
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集成电路制造工艺员《集成电路制造工艺员(三级)》真题及答案
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离子束的引出系统的间接引出系统中阳极和插入电极之间形成一个离子密度较的等离子体
铜与氯形成的化合物挥发能力不好因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行而必须施以
在半导体工艺中淀积的薄膜层应满足的参数包含有
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的所以其就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的而成为相邻电子元件的绝缘体
离子源产生的离子在的加速电场作用下得到加速
对于非晶靶离子注入的射程分布取决于
属于铝的性质有
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度并计算这些点的刻蚀速率而得到的
当注入剂量增加到某个值时损伤量不再增加趋于饱和饱和正是对应连续的形成
化学气相沉积的英文名称的缩写为
早期研究离子注入技术是用来进行的
离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的和引出部分组成
下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗
为了解决中性束对注入均匀性的影响可在系统中设有使离子束偏转后再达到靶室
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的内加入适量的氢气能够降低刻蚀的速率
离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成离子并通过一个引出系统形成离子束
是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数
在半导体工艺中与氮化硅比较二氧化硅更适合应用在
目前最广泛使用的退火方式是
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有
在半导体制造中熔断丝可以应用在
哪种方法可以增加缺陷的积累率而降低临界注入量
离子注入的主要气体源中剧毒的有
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称
激光退火目前有激光退火两种
以等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide
离子束垂直进入均匀的正交磁场后将同时受到电场力和的作用
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对的高选择性超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小
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