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离子注入的主要气体源中,剧毒的有()。
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集成电路制造工艺员《集成电路制造工艺员(三级)》真题及答案
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剂量
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离子注入
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离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些
离子注入的主要气体源中易燃易爆的有
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二硼化氢
三氟化硼
硅烷
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离子注入层的深度主要取决于离子注入的
能量
剂量
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离子注入
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扩散
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