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与扩散源相比，离子注入有哪些优点？

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对于浓度覆盖很宽的杂质原子可以采用方法引入到硅片中

离子注入溅射淀积扩散

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是

离子注入的晶格损伤

在晶片制造中有两种方法可以向硅片中引入杂质元素即热扩散和离子注入

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的

能量剂量

早期研究离子注入技术是用来进行的

重离子加速器热扩散炉质子分析仪轻离子分析器

虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结取而代之的是离子注入

离子注入法有哪些优点

热退火用于消除离子注入造成的损伤温度要低于杂质热扩散的温度然而杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象

离子注入主要部件有哪些

离子注入装置的主要部件有分析器加速聚焦系统等

中子源离子源电子源质子源

离子注入的主要气体源中剧毒的有

砷化氢二硼化氢四氟化硅三氟化磷五氟化磷

离子注入工艺需要控制的工艺参数及设备参数有哪些

离子注入的主要气体源中易燃易爆的有

砷化氢二硼化氢三氟化硼硅烷氧气

什么是离子注入损伤

离子注入层的深度主要取决于离子注入的

能量剂量

有机性气体大多产生在下列哪道工艺

离子注入刻蚀扩散光刻

例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点

离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度因而在几乎所有应用中都优于扩散

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