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它与试件上的磁通密度有关 它与缺陷的高度有关 磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大 以上都对
磁化强度为一定时，缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷，其漏磁通与缺陷高度无关 缺陷离试件表面越近，缺陷漏磁通越小 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响 c，d和e都对
内部缺陷处的漏磁通， 比同样大小的表面缺陷为大 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 表面缺陷的漏磁通密度， 随着离开表面距离的增加而急剧减弱 用有限线圈磁化长的试件， 不需进行分段磁化
磁力线所经过的路线 主磁通形成闭合回路所经过的路径 漏磁通形成闭合回路所经过的路径 主磁通与漏磁通共同经过的路径
磁化强度为一定时， 缺陷高度小于 1mm 的形状相似的表面缺陷， 其漏磁通与缺陷高度无关 缺陷离试件表面越近， 缺陷漏磁通越小 在磁化状态、 缺陷种类和大小为一定时， 缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响 交流磁化时， 近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小 当磁化强度、 缺陷种类和大小为一定时， 缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响 c, d 和 e 都对
磁力线所经过的路线 主磁通形成闭合回路所经过的路径 漏磁通形成闭合回路所经过的路径 主磁通与漏磁通共同经过的路径
它与试件上的磁通密度有关 它与缺陷的高度有关 磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大 以上都对
内部缺陷处的漏磁通， 比同样大小的表面缺陷为大 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 表面缺陷的漏磁通密度， 随着离开表面距离的增加而急剧减弱 用有限线圈磁化长的试件， 不需进行分段磁化
内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱 用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
缺陷离试件表面越近， 形成的漏磁通越小 在磁化状态、 缺陷类型和大小为一定时， 其漏磁通密度受缺陷方向影响 交流磁化时， 近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 在磁场强度、 缺陷类型和大小为一定时， 其漏磁通密度受磁化方向影响； 除 A 以外都对
内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大 缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比 表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱 用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化
荧光磁粉比非荧光磁粉对缺陷的检出率低 要用与探测面形成高对比度的磁粉 磁悬液是水液或油液 磁粉越细越好
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