若采用自身上釉烧结温度比体瓷的烧结温度-X题卡

低于体瓷烧结愠度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡防止磨料成分污染金属表面

低于体瓷烧结温度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡防止磨料成分污染金属表面

与体瓷的烧结温度相同低于体瓷烧结温度6～8℃ 低于体瓷烧结温度10～20℃ 高于体瓷烧结温度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10～20℃

低于体瓷烧结温度5℃ 低于体瓷烧结温度10℃ 高于体瓷烧结温度5℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 以上均不正确

低于体瓷温度5℃ 低于体瓷温度10℃ 低于体瓷温度20℃ 高于体瓷温度5℃ 高于体瓷温度10℃

低于体瓷烧结温度5℃ 低于体瓷烧结温度10℃ 高于体瓷烧结温度5℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 以上均不正确

低于体瓷温度10℃ 低于体瓷温度2℃ 低于体瓷温度5℃ 高于体瓷温度5℃ 高于体瓷温度10℃

低于体瓷烧结温度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡防止磨料成分污染金属表面

低于体瓷烧结愠度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡防止磨料成分污染金属表面

与体瓷的烧结温度相同低于体瓷烧结温度6～8℃ 低于体瓷烧结温度10～20°C 高于体瓷烧结温度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10～20℃

低于体瓷烧结温度6～8℃ 高于体瓷烧结温度10℃ 高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡防止磨料成分污染金属表面

低于体瓷温度5℃ 低于体瓷温度10℃ 低于体瓷温度2CC 高于体瓷温度5℃ 高于体瓷温度10℃

若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（）