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什么叫TFT技术?TFT技术的主要特点是什么?
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离子束的引出系统的间接引出系统中阳极和插入电极之间形成一个离子密度较的等离子体
铜与氯形成的化合物挥发能力不好因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行而必须施以
在半导体工艺中淀积的薄膜层应满足的参数包含有
不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的所以其就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差
在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的而成为相邻电子元件的绝缘体
硅晶片上之所以可以产生薄膜出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子它们主要是通过到达晶片表面的
属于铝的性质有
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度并计算这些点的刻蚀速率而得到的
化学气相沉积的英文名称的缩写为
离子源的基本结构是由产生高密度等离子体的和引出部分组成
下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗
按加热源的不同可以分成几种不同类型的蒸发
为了解决中性束对注入均匀性的影响可在系统中设有使离子束偏转后再达到靶室
用真空蒸发与溅射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金属材料是形成电极的
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的内加入适量的氢气能够降低刻蚀的速率
晶片表面上的粒子是通过到达晶片的表面
离子源的作用是使所需要的杂质原子电离成离子并通过一个引出系统形成离子束
是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数
在半导体工艺中与氮化硅比较二氧化硅更适合应用在
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有
在半导体制造中熔断丝可以应用在
离子注入的主要气体源中剧毒的有
是通过把被蒸物体加热利用被蒸物在高温时的饱和蒸汽压来进行薄膜沉积的
请在下列选项中选出硅化金属的英文简称
以等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide
物理气相沉积简称
离子束垂直进入均匀的正交磁场后将同时受到电场力和的作用
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对的高选择性超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小
是因为吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并结合所形成的
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