金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的-X题卡

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100μm的氧化铝喷砂

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100μm的氧化铝喷砂

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100μm的氧化铝喷砂

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50~100μm的氧化铝喷砂

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0．2~2μm

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100μm的氧化铝喷砂

化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分金属-瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利金瓷结合界面间存在分子间力贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100μm的氧化铝喷砂

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100pm的氧化铝喷砂

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50~100μm的氧化铝喷砂

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分金属一瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利金瓷结合界面间存在分子间力贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形禁止使用橡皮轮磨光用50～100pm的氧化铝喷砂

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是（）