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用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 金属-瓷材料的热膨胀系数要严格匹配,金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 金瓷结合界面间存在分子间力 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100pm的氧化铝喷砂
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100μm的氧化铝喷砂
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 金属一瓷材料的热膨胀系数要严格匹配,金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 金瓷结合界面间存在分子间力 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化
用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 打磨时用细砂针多方均匀的打磨出金瓷结合部要求的外形 禁止使用橡皮轮磨光 用50~100pm的氧化铝喷砂
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 理想的氧化膜厚度为0.2~2μm