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热扩散利用()驱动杂质穿过硅的晶体结构,这种方法受到()和()的影响。
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集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
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扩散过程与晶体结构有密切的关系扩散介质结构扩散
越紧密;越困难
越疏松;越困难
越紧密;活化能越小
越疏松;活化能越大
在晶片制造中有两种方法可以向硅片中引入杂质元素即热扩散和离子注入
完全纯净的没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为
下列叙述不正确的是①硅的晶体结构和金刚石相似都是原子晶体②硅是地壳中含量最多的非金属③晶体硅是良好的
①②⑥
①⑤⑥
③④⑤
②⑤⑥
SiC的晶体结构与晶体硅的相似其中C原子的杂化方式为______微粒间存在的作用力是______
硅酸盐晶体结构中按硅氧四面体排列方式的变化桥氧数可由1~4变化
简述纯金属凝固时润湿角θ杂质颗粒的晶体结构和表面形态对异质形核的影响
F的晶体结构是A的晶体结构是
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源不再有新的杂质补充这种扩散方式称
简述晶体结构对扩散的影响
铁素体的晶体结构为
体心立方晶体结构
面心立方晶体结构
密排立方晶体结构
金属Cu的晶体结构是
体心立方晶体结构
面心立方晶体结构
密排立方晶体结构
按照晶体结构缺陷形成的原因可将晶体结构缺陷的类型分为
热缺陷
杂质缺陷
非化学计量缺陷
A+B+C
根据硅晶体结构的不同太阳能电池可以分为太阳能电池
单晶硅
多晶硅
非晶硅
带状硅
C和Si元素在化学中占有极其重要的地位SiC的晶体结构与晶体硅的相似其中C原子的杂化方式为微粒间存在
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种分别是扩散和扩散杂质只有在成为硅晶格结构的一部分即才有助于形成半导
在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤预淀积推进和激活
变质处理的目的是
细化晶
改变晶体结构
改善冶炼质量,减少杂质
硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤和
马氏体转变时晶体结构的改组是依靠进行的
滑移方式
切变形式
扩散方式
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