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N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。

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型半导体中自由电子为少数载流子

在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域它

有自由电子，没有空穴没有自由电子，有空穴有自由电子，有空穴没有自由电子，没有空穴

在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域它

有自由电子，没有空穴没有自由电子，有空穴有自由电子，有空穴没有自由电子，没有空穴

空穴为载流子自由电子为载流子的杂质半导体称为P型半导体

N型半导体中的多数载流子是______

自由电子空穴束缚电子晶格上的离子

N型半导体中的自由电子多于空穴而P型半导体中的空穴多于自由电子是否N型半导体带负电而P型半导体带正电

N型半导体中自由电子是少数载流子

P型半导体空穴数远多于自由电子数这些空穴是多数载流子而自由电子是少数载流子导电能力主要靠空穴称为空穴

W型半导体 U型半导体 P型半导体 N型半导体

在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于而多数载流子的浓度则与有很大关系

温度掺杂工艺杂质浓度晶体缺陷空穴自由电子

自由电子为载流子空穴为载流子的杂质半导体称为半导体

P型半导体的多数载流子是

空穴自由电子正离子负离子

N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子因此说N型半导体带负

PN结形成的过程中P型半导体中的多数载流子空穴向区进行扩散N型半导体中的多数载流子自由电子向区进行扩

N型半导体中多数载流子是P型半导体中多数载流子是

正离子自由电子空穴负离子质子中子

P型半导体中的多数载流子是______

自由电子空穴束缚电子晶格上的离子

在P型半导体中多数载流子是______在N型半导体中多数载流子是______

空穴／自由电子自由电子／空穴空穴／共价键电子负离子／正离子

半导体内的载流子是

正离子负离子自由电子自由电子与空穴

P型半导体中空穴为载流子自由电子为载流子

N型半导体中自由电子是多数载流子空穴是少数载流子

N型半导体导电主要依靠的载流子是

原子分子空穴自由电子

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