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N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

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型半导体中自由电子为少数载流子

P型半导体中多数载流子是少数载流子是N型半导体中多数载流子是少数载流子是

N型半导体自由电子数远多于空穴数这些自由电子是多数载流子而空穴是少数载流子导电能力主要靠自由电子称为

W型半导体 U型半导体 P型半导体 N型半导体

N型半导体中的多数载流子是______

自由电子空穴束缚电子晶格上的离子

P型半导体多数载流子是空穴带负电荷;N型半导体多数载流子是电子•带正电荷

PN结是形成的

将P型和N型半导体掺杂在交界面上，多数载流子分别向对方扩散在交界面上，少数载流子分别向对方扩散多数载流子与少数载流子相互扩散

在P型半导体中是多数载流子在N型半导体中电子是多数载流子

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的这种半导体的多数载流子为少数载流子为不能移动的杂质

在N型半导体中是多数载流子

空穴硅电子锗

N型半导体中自由电子是少数载流子

在N型半导体中空穴是多数载流子电子是少数载流子

P型半导体空穴数远多于自由电子数这些空穴是多数载流子而自由电子是少数载流子导电能力主要靠空穴称为空穴

W型半导体 U型半导体 P型半导体 N型半导体

在杂质半导体中少数载流子的浓度主要取决于而多数载流子的浓度则与有很大关系

温度掺杂工艺杂质浓度晶体缺陷空穴自由电子

P型半导体的多数载流子是

空穴自由电子正离子负离子

在P型半导体中空穴是多数载流子电子是少数载流子

在N型半导体中电子是少数载流子空穴是多数载流子

PN结形成的过程中P型半导体中的多数载流子空穴向区进行扩散N型半导体中的多数载流子自由电子向区进行扩

N型半导体中多数载流子是P型半导体中多数载流子是

正离子自由电子空穴负离子质子中子

P型半导体中的多数载流子是______

自由电子空穴束缚电子晶格上的离子

在P型半导体中多数载流子是______在N型半导体中多数载流子是______

空穴／自由电子自由电子／空穴空穴／共价键电子负离子／正离子

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