首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
一个球型电容器由三个很薄的同心导体壳组成,其半径分别为a、b和d(a<b<d) 。一根绝缘导线通过中间球壳的一个小孔把内外球连结起来。忽略孔的边缘效应。 若在中间球壳上放置任意静电荷Q,求在中...
查看本题答案
包含此试题的试卷
国家统考科目《问答集》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
两个电容量分别为10μF和15μF的电容器串联使用其总等效电容值是μF
30
12.5
6
有一球型电容器内外球壳的半径分别为a3a两球壳间充满两层等厚度的电介质其相对介电常数分别为ε1
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的绝缘体其内导体的半径为3cm外导体的内半径为12cm内外两绝缘层的
60V
90V
150V
180V
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
电容器是由两个彼此绝缘相互靠近导体与中间一层不导电的绝缘介质构成的两个导体称为电容器的两极分别用导线
电源和一个水平放置的平行板电容器三个电阻组成如图所示的电路当开关S.闭合后电容器中有一个带电液滴正好
液滴仍保持静止状态
液滴将向下运动
电容器上的带电量将减为零
电容器将有一个瞬间的充电过程
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的圆柱体其内导体的半径为2cm外导体的内半径为8cm内外两绝缘层的厚
100V
250V
667V
360V
一双层介质的球形电容器内外导体的半径分别为R1和R3二介质分界面的半径为R2内外介质的介电系数分别
A
B
C
D
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的绝缘体其内导体的半径为3cm外导体的内半径为12cm内外两绝缘层的
60
90
150
180
一个球型电容器由三个很薄的同心导体壳组成其半径分别为ab和da<b<d一根绝缘导线通过中间球壳的一个
电源和一个水平放置的平行板电容器三个电阻组成如图所示的电路.当开关S.闭合后电容器中有一个带电液滴正
液滴仍保持静止状态
液滴将向上运动
电容器上的带电荷量将减为零
电容器将有一个瞬间的\充电过程
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的圆柱体其内导体的半径为2cm外导体的内半径为8cm内外两绝缘层的厚
100
250
667
360
有一球型电容器内外球壳的半径分别为a3a两球壳间充满两层等厚度的电介质其相对介电常数分别为ε1
一个球型电容器由三个很薄的同心导体壳组成其半径分别为ab和da<b<d一根绝缘导线通过中间球壳
有一球型电容器内外球壳的半径分别为a3a两球壳间充满两层等厚度的电介质其相对介电常数分别为ε1
电源和一个水平放置的平行板电容器三个电阻组成如图6所示的电路当开关S.闭合后电容器中有一个带电液滴正
液滴将向上运动
液滴仍保持静止状态
电容器上的带电量将减为零
电容器上的带电量将增大
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
两个相互平行的导体平板构成一个电容器其电容与无关
导体板上的电荷
平板间的介质
导体板的面积
两个导体板的相对位置
热门试题
更多
少子寿命
表面复合速度
准费米能级
如图所示电源电动势ε1=3Vε2=12V其内阻均可忽略R1=8ΩR2=4.4ΩR3=2Ω求 K断开时A点的电势VA=
已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3ND=1020cm-3 画出电场Ex及电势Vx图硅中本征载流子浓度ni=1.5×1010cm-3硅的介电常数εr=11.9真空介电常数E0=8.85×10-14F/cm玻耳兹曼常数k0=1.38×10-23/K300K时k0T=0.026eV
使用增透膜可以减少玻璃的反射在玻璃基片折射率为n1上镀有一层折射率为n2的薄膜1<n1<n2对特定波长λ的单色光由空气垂直入射到薄膜上 求具有最佳透射效果的最小镀膜厚度d
肖特基势垒二极管
设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压如图所示p型硅接低电位金属接高电位使半导体表面层出现耗尽状态 若p-si的表面势Vs=0.4V外加电压为5V受主杂质浓度NA=1016/cm3求耗尽层厚度硅的介电常数εr=11.9真空介电常数ε0=8.85×10-14F/cm电子电量q=1.60×10-19C
简述半导体的几何磁阻效应
假设“神州六号”飞船的质量为m正在绕地球作圆周运动圆半径为R0速率为v0某一时刻接到地面指令要求变轨飞行后火箭点火给“神六”增加了向外的径向速度分量vr<v0于是飞船的轨迹发生了变化 试推导出飞船在任意轨道上受到的引力表达式[*]其中r为神州六号飞船到地球球心的距离
齐纳击穿
试推导本征载流子浓度的表达式
金属-半导体接触有哪两类
晶格常数为a的一维晶格其导带极小值附近能量为价带极大值附近能量为为电子的惯性质量h=6.63×10-34s为普朗克常数a=0.314nm求 1.禁带宽度 2.导带底电子有效质量 3.价带顶电子有效质量 4.价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化
禁带宽度
简述霍耳效应
延长线过圆心的两根长直导线与均匀金属圆环相接于AB两点如图所示直导线上通有直流电I求 通过圆弧l1段的电流I1与通过圆弧l2段的电流I2的比值
p-n结势垒电容
简述能带论
简述塞贝克效应
用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为gp空穴寿命为τ 写出光照下过剩载流子浓度所满足的方程
简并半导体
如图所示有一密度均匀的扇形板质量为M半径为R扇形角度为θ=π/3竖直悬挂在支架上可绕垂直于纸面的轴无摩擦地摆动现有一颗质量为m的子弹在支架下方距支点竖直距离为2R/3的位置处以水平速度v0射向静止扇形板后停留在板上A点处求 子弹射入前扇形板的转动惯量
试用上式求轻度补偿时室温下的电导率公式
平面正六方晶格如图所示其矢量为 式中a为六角形两个平行对边间的距离 证明倒格子原胞的面积等于正格子原胞面积的倒数不考虑2π2因子
如图所示长L质量M的平板静止放在光滑水平面上质量m的小木块以水平初速V0滑入平板上表面己知小木块与平板的上表面间摩擦系数为μ试求 小木块不会从平板上表面滑离的条件
空穴
如图所示有一密度均匀的扇形板质量为M半径为R扇形角度为θ=π/3竖直悬挂在支架上可绕垂直于纸面的轴无摩擦地摆动现有一颗质量为m的子弹在支架下方距支点竖直距离为2R/3的位置处以水平速度v0射向静止扇形板后停留在板上A点处求 要使扇形板的摆动角度超过π/3v0至少要多大
俄歇复合
在由n型半导体组成的MIS结构上加栅电压VG分析其表面空间电荷层状态随VG变化的情况画出其C-V曲线并解释之
热门题库
更多
国家统考科目
香港法概论
反间谍法
__学
合同法
证据学
民事诉讼法学
民法学
刑法学
消费者权益保护法
法理学
竞争法
国际公法
国际经济法
农村政策法规
行政法与行政诉讼法