首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
一个球型电容器由三个很薄的同心导体壳组成,其半径分别为a、b和d(a<b<d) 。一根绝缘导线通过中间球壳的一个小孔把内外球连结起来。忽略孔的边缘效应。求三个同心导体壳的电容;
查看本题答案
包含此试题的试卷
国家统考科目《问答集》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
两个电容量分别为10μF和15μF的电容器串联使用其总等效电容值是μF
30
12.5
6
有一球型电容器内外球壳的半径分别为a3a两球壳间充满两层等厚度的电介质其相对介电常数分别为ε1
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的绝缘体其内导体的半径为3cm外导体的内半径为12cm内外两绝缘层的
60V
90V
150V
180V
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
电容器是由两个彼此绝缘相互靠近导体与中间一层不导电的绝缘介质构成的两个导体称为电容器的两极分别用导线
电源和一个水平放置的平行板电容器三个电阻组成如图所示的电路当开关S.闭合后电容器中有一个带电液滴正好
液滴仍保持静止状态
液滴将向下运动
电容器上的带电量将减为零
电容器将有一个瞬间的充电过程
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的圆柱体其内导体的半径为2cm外导体的内半径为8cm内外两绝缘层的厚
100V
250V
667V
360V
一双层介质的球形电容器内外导体的半径分别为R1和R3二介质分界面的半径为R2内外介质的介电系数分别
A
B
C
D
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的绝缘体其内导体的半径为3cm外导体的内半径为12cm内外两绝缘层的
60
90
150
180
电源和一个水平放置的平行板电容器三个电阻组成如图所示的电路.当开关S.闭合后电容器中有一个带电液滴正
液滴仍保持静止状态
液滴将向上运动
电容器上的带电荷量将减为零
电容器将有一个瞬间的\充电过程
在一个圆柱形电容器中置有两层同轴的圆柱体其内导体的半径为2cm外导体的内半径为8cm内外两绝缘层的厚
100
250
667
360
有一球型电容器内外球壳的半径分别为a3a两球壳间充满两层等厚度的电介质其相对介电常数分别为ε1
一个球型电容器由三个很薄的同心导体壳组成其半径分别为ab和da<b<d一根绝缘导线通过中间球壳
有一球型电容器内外球壳的半径分别为a3a两球壳间充满两层等厚度的电介质其相对介电常数分别为ε1
电源和一个水平放置的平行板电容器三个电阻组成如图6所示的电路当开关S.闭合后电容器中有一个带电液滴正
液滴将向上运动
液滴仍保持静止状态
电容器上的带电量将减为零
电容器上的带电量将增大
一个球型电容器由三个很薄的同心导体壳组成其半径分别为ab和da<b<d一根绝缘导线通过中间球壳
如图所示半径为R的导体球所带电荷的电量为q球外套一个内外半径分别为R1和R2的同心介质球壳其相
两个相互平行的导体平板构成一个电容器其电容与无关
导体板上的电荷
平板间的介质
导体板的面积
两个导体板的相对位置
热门试题
更多
本征吸收
如图所示电源电动势ε1=3Vε2=12V其内阻均可忽略R1=8ΩR2=4.4ΩR3=2Ω求 K合上后A点的电势又为多少
p-n结
设在一个金属--二氧化硅--p型硅构成的MOS结构上加一电压如图所示p型硅接低电位金属接高电位使半导体表面层出现耗尽状态 根据耗尽层近似求耗尽层内电势vx
本征半导体
用强光照射n型样品假定光被均匀地吸收产生过剩载流子产生率为gp空穴寿命为τ 求出光照下达到稳定状态时的过剩载流子浓度
一带有电荷为q质量为m的小球悬于一不带电绝缘细丝线一端线的另一端与一无穷大竖直带电导体平板相连处于平衡状态时细线与平板成30°角如图所示试问此时带电平板的表面电荷密度σ为多少
半导体中深能级杂质
使用增透膜可以减少玻璃的反射在玻璃基片折射率为n1上镀有一层折射率为n2的薄膜1<n1<n2对特定波长λ的单色光由空气垂直入射到薄膜上问在薄膜两个界面上一次反射回空气的反射光中哪一束存在半波损失
简述电导率与掺杂浓度及温度的关系
平面正六方晶格如图所示其矢量为 式中a为六角形两个平行对边间的距离 画出此晶格的第一布里渊区
已知硅突变结两边杂质浓度为NA=1016cm-3ND=1020cm-3 求势垒高度和势垒宽度300K时
如图所示有一密度均匀的扇形板质量为M半径为R扇形角度为θ=π/3竖直悬挂在支架上可绕垂直于纸面的轴无摩擦地摆动现有一颗质量为m的子弹在支架下方距支点竖直距离为2R/3的位置处以水平速度v0射向静止扇形板后停留在板上A点处求 子弹射入后的瞬间扇形板的转动角速度
它们分别在什么情况下形成
平面正六方晶格如图所示其矢量为 式中a为六角形两个平行对边间的距离 求倒格子基矢
假设“神州六号”飞船的质量为m正在绕地球作圆周运动圆半径为R0速率为v0某一时刻接到地面指令要求变轨飞行后火箭点火给“神六”增加了向外的径向速度分量vr<v0于是飞船的轨迹发生了变化 试用R0v0以及vr给出飞船变轨后的椭圆轨道近地点和远地点表达式
证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系 式中ni为本征载流子浓度 是空穴与电子迁移率比值ND和NA分别为施主和受主浓度q是电子的电量
反型异质结
受主能级
p型半导体MIS结构的理想C-V特性如下图说明每一段的物理过程IIIIIIAIIIBIIIC
半导体的迁移率
热载流子
简述禁带变窄效应
欧姆接触
延长线过圆心的两根长直导线与均匀金属圆环相接于AB两点如图所示直导线上通有直流电I求 求环中心O处的磁感应强度
间隙杂质
如图所示长L质量M的平板静止放在光滑水平面上质量m的小木块以水平初速V0滑入平板上表面己知小木块与平板的上表面间摩擦系数为μ试求 在满足上题的条件下平板速度的表达式
简述多能谷散射
简述半导体的压阻效应
简述半导体的光生伏特效应
热门题库
更多
香港法概论
反间谍法
__学
合同法
证据学
民事诉讼法学
民法学
刑法学
消费者权益保护法
法理学
竞争法
国际公法
国际经济法
农村政策法规
行政法与行政诉讼法
仲裁法学