关于突触前抑制的叙述正确的是-X题卡

是局部去极化电位具有“全或无”性质后膜对Cl^-通透性上升由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致

是局部除极化电位具有“全或无”性质是局部超极化电位由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致

是局部去极化电位具有“全或无”性质是局部超极化电位由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致

突触前轴突末梢超极化突触后膜对Ca2+ 通透性增大突触后膜出现超极化突触后膜去极化由突触前膜递质释放量减少所致

是由突触前神经元释放抑制性递质而产生的性质上属于动作电位，但幅度较小重复刺激可引起时间的总和由突触后膜钾离子通道开放而产生

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触前膜释放抑制性递质潜伏期较短

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触后膜去极化没有神经递质参与

突触前轴突末梢超极化对Ca

、K

通透性增大突触后膜出现超极化突触后膜去极化突触前膜去极化

突触前膜超极化 Ca2+ 经突触前膜进入突触小体突触前膜释放抑制性递质突触后膜对 Cl-通透性增强 Cl- 内流产生IPSP

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触前膜释放抑制性递质

可分为回返性抑制和传人侧支性抑制两种是由突触前末梢释放抑制性递质引起的突触后膜产生IPSP 突触后膜产生EPSP 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触潜伏期短，持续时间短可调节控制感觉信息的传入活动

突触前膜去极化持续时间长潜伏期较长通过轴突-轴突突触结构的活动来实现轴突末梢释放抑制性递质

一个兴奋性神经元不能引起突触后神经元抑制；突触后膜产生去极化变化；突触后膜产生部分去极化变化；是由突触前末梢释放抑制性递质引起的；可分为回返性抑制和传入侧枝性抑制

突触前神经末梢释放兴奋性递质突触前神经末梢释放抑制性递质突触后膜对 K+、Cl-的通透性增加是一个超极化电位它达到足够大时 , 可以爆发动作电位

是局部去极化电位具有“全或无”性质是局部超极化电位由突触前膜递质释放量减少所致由突触后膜对钠通透性增加所致(21/2006)

突触前轴突末梢超极化对Ca2+、K+通透性增大突触后膜出现超极化突触后膜去极化

突触前膜超极化突触后膜超极化突触前膜去极化突触前膜释放抑制性递质潜伏期较短

可分为传人侧支性抑制和回返性抑制两种是由抑制性中间神经元释放抑制性递质引起的突触后膜产生lPSP 突触后膜产生EPSP 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制

突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触潜伏期短，持续时间短可调节控制感觉信息的传入活动

关于突触前抑制的叙述，正确的是（）