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当系统的温度（）T0时，系统过热，ΔE（）0，液态金属处于稳定状态，熔化自发进行。

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若系统中存在一个等待事务集T0T1Tn其中T0正在等待被T1封锁住的数据项AT1正在等待被T2锁住的

并发处理封锁循环死锁

若系统中存在一个等待事务集{T0T1T2Tn}其中T0正等待被T1锁住的数据项D1T1正等待被T2锁

封锁死锁循环并发处理

下列关于热电偶电势叙述正确的是

热电势EAB（T，T0）是温度函数之差热电势EAB（T，T0）是温度差的函数接触电动势EAB（T）大于温差电动势EA（T，T0）接触电动势EAB（T）小于温差电动势EA（T，T0）热电势EAB（T，T0）是测量端温度的单值函数

已知单片机系统晶振频率为6MHz若要求定时值为10ms时定时器T0工作在方式1时定时器T0对应的初值

看图题有一S型热电偶测温系统如图F-12所示其中t＝1100℃t0＝60℃t1＝20℃E11000＝

可逆反应aXg＋bYgcZg在一定温度下的密闭容器内达到平衡后t0时改变某一外界条件化学反应速率v和

若a＋b＝c，则t0时只增大了反应物的浓度若a＋b＝c，则t0时只升高了温度若a＋b≠c，则t0时只增大了容器的压强若a＋b≠c，则t0时只加入了催化剂

存在一个等待事务集{T0T1Tn}其中T0正等待被T1锁住的数据项T1正等待被T2锁住的数据项Tn-

并发处理封锁循环死锁

存在一个等待事务集{T0T1Tn}其中T0正等待被T1锁住的数据项T1正等待被n锁住的数据项Tn-1

并发处理封锁循环死锁

当系统的温度T0时系统过冷ΔE0液态金属处于稳定状态结晶自发进行

存在一个等待事务集TOT1Tn其中T0正等待被T1锁住的数据项T1正等待被T2锁住的数据项Tn-1正

并发处理封锁循环死锁

可逆反应aXg＋bYgcZg在一定温度下的密闭容器内达到平衡后t0时改变某一外界条件化学反应速率v和

若a＋b＝c，则t0时只增大了反应物的浓度若a＋b＝c，则t0时只升高了温度若a＋b≠c，则t0时只加入了催化剂若a＋b≠c，则t0时只增大了容器的压强

存在一个等待事务集{T0T1Tn}其中T0正等待被T1锁住的数据项T1正等待被T2锁住的数据项Tn-

并发处理封锁循环死锁

若已知冷凝温度tk和蒸发温度t0则可在lgp–h图中绘出制冷循环图

实际理论回热过冷过热

若系统中存在一个等待事务集{T0T1T2...Tn}其中T0正等待被T1锁住的数据项A1T1正等待被

并发处理封锁循环死锁

若系统中存在4个等待事务T0T1T2T3其中T0正等待被T1锁住的数据项AlT1正等待被T2锁住的数

活锁死锁封锁正常

若系统中存在一个等待事务集T0T1Tn其中T0正在等待被T1封锁住的数据项AT1正在等待被T2锁住的

并发处理封锁循环死锁

若系统中存在一个等待事务集T0T1Tn其中T0正在等待被T1封锁住的数据项AT1正在等待被T2锁住的

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若系统中存在一个等待事务集{T0T1T2Tn}其中T0正等待被T1锁住的数据项A1T1正等待被T2锁

并发处理封锁循环死锁

存在一个等待事务集T0T1Tn其中T0正等待被T1锁住的数据项T1正等待被T2锁住的数据项Tn-1正

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