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ESD产生()种不同的静电总类。
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集成电路制造工艺员《集成电路制造工艺员(三级)》真题及答案
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非防静电塑料袋非防静电泡馍橡胶等静电源应远离ESD敏感器件和敏感单板距离应有以上
20cm
30cm
40cm
50cm
静电是一种常见的物体带上静止电荷的物理现象两种不同物质的会产生静电
接触和分离
相互融合
相互不接触
相互渗透
ESD指的是
Electrostatic Discharge、静电
Electrostatic Discharge、静电放电
Electro Static、静电放电
Electro Static、静电
操作时必须确保正确的ESD防护措施如佩戴防静电腕带或手套以避免 单板模块或电子部件遭到静电损害
静电是由于两种物质相互接触分离摩擦而产生的
相同
不同
相似
相异
静电放电ESD—ElectrostaticDischarge
在网络设备当中ESD代表
静电磁干扰
静电干扰
静电放电
静电磁放电
静电是一种常见的物体带上静止电荷的化学现象两种不同物质的接触和分离都会产生静电
静电是由于两种不同物体相互摩擦接触分离而产生的
静电由以下哪种方式表示
VF
VR
ESD
V
静电是两种不同物体通过摩擦接触分离等机械运动的互相作用产生的静止的电荷
静电是由于不同物质相互接触分离摩擦而产生的
几种
两种
多种
许多
静电释放的英文简述为
ESC
SED
ESD
SEM
不属于静电对电子元器件的三种影响
吸引或排斥
静电吸附灰尘,降低元器件绝缘电阻
静电放电破坏,使元件受损不能工作
ESD产生的电磁场幅度很大频谱极宽,对电子器件造成干扰甚至破坏
什么是静电放电过程ESD
关于ESD的描述正确的有
空气潮湿易引发静电
人体是产生静电危害的最主要的静电源之一
静电应该通过导体加以安全泄放
静电可以损毁任何一种常用电子器件
在ESD防护中要求静电电压绝对值应小于1000V
静电ESD有那些危害
关于ESD的描述不正确的有
空气潮湿易引发静电
人体是产生静电危害的最主要的静电源之一
静电应该通过导体加以安全泄放
静电可以损毁集成电路(I
静电是指两种不同的物体通过摩擦.接触.分离等机械运动的相互作用而产生的相对静止的电荷
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下列哪些因素不会影响到显影效果的是
在热扩散工艺中的预淀积步骤中硼在900~1050℃的条件下扩散时间大约为宜
降低靶的温度有利于非晶层的形成所以临界注入量随之
晶片经过显影后进行坚膜坚膜的主要作用有
光刻工艺中脱水烘焙的最初温度是
关于正胶和负胶的特点下列说法正确的是
损伤的分布与注入离子在在靶内的的分布密切相关
离子散射方向与入射方向的夹角称为
通常热扩散分为两个大步骤其中第一个步骤是
当注入剂量增加到某个值时损伤量不再增加趋于饱和开始饱和的注入剂量称为
就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面使其中离子注入层在极短的时间内达到高温消除损伤
光刻胶主要由等不同材料混合而成的
半导体硅常用的施主杂质是
去正胶常用的溶剂有
在集成电路工艺中光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是
在深紫外曝光中需要使用光刻胶
在热扩散工艺中的预淀积步骤中砷和锑的扩散温度为
涂胶以后的晶片需要在一定的温度下进行烘烤这一步骤称为
下列哪些因素会影响临界注入量的大小
离子源腔体中的气体放电形成而引出正离子的
如果固体中的原子排列情况是紊乱的就称之为
一般用测量注入的剂量
Torr是指的单位
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是
按曝光的光源分类曝光可以分为
半导体芯片生产中离子注入主要是用来
离子从进入靶起到停止点所通过的总路程称作
下列可作为磷扩散源的是
半导体硅常用的受主杂质是
下列关于曝光后烘烤的说法正确的是
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