首页试卷库试题库

当前位置： X题卡 > 所有题目 > 题目详情

离子注入后为何退火？

查看本题答案

包含此试题的试卷

集成电路技术《集成电路技术综合练习》真题及答案点击查看

你可能感兴趣的试题

扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是

离子注入的晶格损伤

离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除掺入的

离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性

就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面使其中离子注入层在极短的时间内达到高温消除损伤

热退火激光退火连续激光退火脉冲激光退火

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的

能量剂量

离子注入表面改性

离子注入法有哪些优点

与扩散源相比离子注入有哪些优点

热退火用于消除离子注入造成的损伤温度要低于杂质热扩散的温度然而杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象

离子注入的沟道效应

离子注入后为什么要退火高温退火和快速热处理哪个更优越为什么

简述离子注入工艺中退火的主要作用

离子注入主要部件有哪些

离子注入后为什么要进行退火

什么是离子注入损伤

离子注入后为什么要退火

离子注入层的深度主要取决于离子注入的

能量剂量

离子注入后退火的作用是什么

热门试题

更多

热门题库

更多

光电检测技术微电子学半导体测试技术集成电路技术信息处理技术雷达工程可编程控制器 SDH光传输设备开局与维护工程地质建筑施工建筑设备工程地基处理道路勘测设计供热工程土质学与土力学结构力学