首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
受激吸收
查看本题答案
包含此试题的试卷
半导体测试技术《半导体测试技术》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
下列哪个物理量不仅与原子的性质有关还与场的性质有关
自发跃迁几率
受激吸收跃迁几率
受激辐射跃迁爱因斯坦系数
连续光谱是由下列哪种情况产生的
炽热固体
受激分子
受激离子
受激原子
受激吸收的特点错误的是
不是自发产生的
需要有外来光子的激发才会发生
不需要有外来光子的激发就会发生
外来光子的能量应等于原子激发前后两个能级间的能量差才会发生
受激吸收对激发光子的振动方向没有限制
产生激光的最主要过程是
自发辐射
受激吸收
受激辐射
光纤通信技术中光放大器的工作原理是
自发吸收
自发辐射
受激辐射
受激吸收
原子的三种基本跃迁过程包括
自发辐射
受激辐射
自发吸收
受激吸收
EDFA是利用以下哪个原理实现
自发辐射
受激吸收
受激辐射
雪崩倍增效应
简述受激吸收的特点
光与物质相互作用包括四种分别为吸收也叫受激吸收和Raman散射
下列那种说法是不正确的
光与物质相互作用时,将发生自发辐射,受激辐射和受激吸收三种物理过程
自发辐射发出的光是相干光,自发辐射,可以产生光放大
受激辐射发出的光是相干光,受激辐射可以产生光放大
受激辐射产生的光子是全同光子
半导体激光器的发光是由产生的
自发辐射
受激辐射
受激吸收
受激吸收将使
外界光能增加
外界光能减少
外界光能先减少后增加
外界光能不变
从结构上看LD有而LED没有
有源区
谐振腔
受激吸收
半导体发光二极管的发光是由产生的
自发辐射
受激辐射
受激吸收
连续光谱是由下列哪种情况产生的
炽热固体
受激分子
受激离子
受激原子
下列哪个物理量只与原子的性质有关
受激辐射跃迁几率
自发跃迁几率
受激吸收跃迁几率
在外来光子的激发下高能级E2上的电子跃迁到低能级E1并发射出一个与 外来光子完全相同的光子的过程称为
自发辐射
受激辐射
非辐射复合
受激吸收
光检测器的工作原理是
受激吸收过程
受激辐射过程
迁移过程
耗尽过程
处于髙能策上的原子受外来频率的光子的激励从高能级跃迁到低能级 发岀一个和外来光子完全相同的光子称为
受激辐射
自发辐射
受激吸收
辐射跃迁
发光二极管发出的光是非相干光它的基本原理是
受激吸收
自发辐射
受激辐射
自发吸收
热门试题
更多
是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度
什么是电路模拟其在IC设计中的作用
集成电路设计流程三个设计步骤
一般认为MOS集成电路功耗低宜用作数字集成电路
同种半导体材料在相同温度下电子的迁移率比空穴的迁移率小
反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是
集成电路的特征尺寸有时也称线宽通常是指集成电路中半导体器件的
在集成电路制造工艺步骤中光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来
晶体管的直流特性是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线
在P型半导体中空穴是多子是少子
集成电路制造通常包括集成电路设计工艺加工封装等工序
2000年因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是
对于一个PN结如果反偏电压降低耗尽区宽度将减小
所谓指在时间上和幅度上离散取值的信号
硅和锗都是Ⅳ族元素它们具有结构
CMOS电路与双极集成电路相比速度快
双极型晶体管可以作为放大晶体管也可以作为来使用在电路中得到了大量的应用
微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的
微电子技术通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础
双极型晶体管可以用来产生放大和处理各种
根据不同的击穿机理PN结击穿主要分为和隧道击穿这两种电击穿
常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料
半导体集成电路是采用半导体工艺技术在硅基片上制作包括电阻电容晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路
PN结总的电容应该包括势垒电容和之和
双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴
工艺模拟
晶体性质的基本特征之一是具有
从电路原理受控源的角度本质上看工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源
本征半导体的导电能力很弱热稳定性很
微电子学是以实现的集成为目的的
热门题库
更多
集成电路技术
信息处理技术
雷达工程
可编程控制器
SDH光传输设备开局与维护
工程地质
建筑施工
建筑设备工程
地基处理
道路勘测设计
供热工程
土质学与土力学
结构力学
桥梁工程
砌体结构
工程地质与土力学