形成快IPSP的离于基础主要是

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记忆主要是进行“再认” 稳定条件反射的形成记得快忘得也快。无意记忆效果较好。

0 期主要是Na+内流 1期主要是 Cl-内流 2期主要是 Ca2+内流和K+外流 3 期主要是K+外流 4期主要有 K+内流

炭疸杆菌繁殖快炭疽杆菌能形成芽孢炭疽杆菌能形成荚膜以上都是以上都不是

Na^＋内流增多 Na^＋外流减少 Ca^2＋外流增多 C^2＋内流减少 Cl^-内流增多

0期主要是Na⁺内流 1期主要是Cl^-外流 2期主要是Ca²⁺内流 3期主要是K⁺外流 4期有K⁺内流

Cl通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K⁺和Cl^-的通透性有关

0期主要是Na⁺内流 1期主要是CI^-外流 2期主要是Ca²⁺内流和K外流 3期主要是K⁺外流

Cl通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

炭疽杆菌繁殖快炭疽杆菌能形成芽孢炭疽杆菌能形成荚膜以上都是以上都不是

多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 Cl

通道开放可降低IPSP IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K

和Cl

的通透性有关

Cl^-通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K⁺和Cl^-的通透性有关

Na^＋内流增多 Na^＋外流减少 Ca^2＋外流增多 C^2＋内流减少 Cl^-内流增多

炭疽杆菌繁殖快炭疽杆菌能形成芽孢炭疽杆菌能形成荚膜以上都是以上都不是

EPP IPSP BER EPSP

0期主要是Na+内流 1期主要是C1-外流 2期主要是Ca2+内流 3期主要是K+外流 4期有K+内流

情感情绪感知行为倾向