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关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误 ( )

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关于抑制性突触后电位IPSP下述哪项错误

Cl通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K⁺和Cl^-的通透性有关

关于抑制性突触后电位IPSP下述哪项错误

Cl通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

兴奋性突触后电位EPSP和抑制性突触后电位IPSP的区别

关于抑制性突触后电位IPSP下述哪项错误

Cl通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

关于抑制性突触后电位IPSP下述哪项错误

Cl^-通道开放可降低IPSP 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生 IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化 IPSP使神经元的兴奋性增加 IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K⁺和Cl^-的通透性有关

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