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内建电场
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半导体测试技术《半导体测试技术》真题及答案
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在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下N区的向P区运动
电子
空穴
质子
光子
某空间内有高度为d宽度足够宽方同水平向左的匀强电场当在该空间内建立如图所示的坐标系后在x轴上的P.点
由题设条件可以判断出粒子的带电性质
对h≤d的粒子,h越大t越大
对h≤d的粒子,在时间t内,电场力对粒子做的功不相等
h越大的粒子,进入电场时的速率v也越大
空间电荷区内建电场及方向漂移电流和扩散电流及其方向
在足够能量的光照条件晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下N区的向P区运动.
电子
空穴
质子
原子
如图所示在竖直平面内建立xOy直角坐标系Oy表示竖直向上的方向已知该平面内存在沿x轴负方向的区域足够
在水平光滑的绝缘桌面内建立如图所示的直角坐标系将第ⅠⅡ象限称为区域一第ⅢⅣ象限称为区域二其中一个区域
进行面积内涵换算时套内建筑面积下的价格=使用面积下的价格×
套内建筑面积/建筑面积
使用面积/建筑面积
使用面积/套内建筑面积
套内建筑面积/建筑面积
太阳能电池由于要接收所以具有很大面积的引起光电效应必要的内建电场就是利用了PN结的界面诱导电厂
在光滑的水平面上有一质量为m=1×10―3kg电荷量为q=1×10―10C.的带正电小球静止在O点以
同一套住房的建筑面积套内建筑面积和使用面积之间的大小关系是
套内建筑面积>建筑面积>使用面积
建筑面积>使用面积>套内建筑面积
套内建筑面积>使用面积>建筑面积
建筑面积>套内建筑面积>使用面积
在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下P区的向N区运动
电子
空穴
质子
光子
建筑面积的分摊系数等于
公用建筑面积/套内建筑面积之和
公用建筑面积/套内建筑面积
套内建筑面积/公用建筑面积
套内建筑面积/公用建筑面积之和
在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下N区的向P区运动
在足够能量的光照射太阳电池表面时在P-N结内建电场的作用下N区的空穴向P区运动P区的向N区运动
简述光生伏特效应中正确的是
用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
平衡载流子破坏原来的热平衡;
非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
在足够大的绝缘光滑水平面上有一质量m=1.0×10-3kg带电量q=1.0×10-10C.的带正电的
进行面积内涵换算时套内建筑面积下的价格=使用面积下的价格×
套内建筑面积/建筑面积
使用面积/建筑面积
使用面积/套内建筑面积
套内建筑面积/建筑面积
在足够能量的光照条件晶体硅太阳能电池板在PN结的内建电场作用下N区 的向P区运动P区的向N区运动
在N型材料的PN结光伏效应中光生电动势与内建电场的方向
在光滑的绝缘水平面上有一质量m=1.0´10-3kg电量q=1.0´10-10C.的带正电小球静止在
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