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若设备组件之一的绝缘试验值为tgδ1=5%,C1=250pF;而设备其余部分绝缘试验值为tgδ2=0.4%,C2=10000pF,则设备整体绝缘试验时,其总的tgδ值与()接近。

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绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加  绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大  发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高  绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降  
tg δ=(tg δ1+tg δ2)/2  tg δ=(C1tg δ1-C2tg δ2)/(C 1-C2)  tg δ=(C1tg δ1+C2tg δ2 )/(C 1+C2δ=(C2tgδ1+C1tg δ2)/(C 1+C2) 。  
QS1型西林电桥  欧母表  电压表  兆欧表  

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