首页
试卷库
试题库
当前位置:
X题卡
>
所有题目
>
题目详情
Intelpentium2.48CPU的参数如下:Socket478/0.13um/L2512k/FSB533MHz/盒装,则它的数据带宽为()。
查看本题答案
包含此试题的试卷
计算机维修工《计算机维修工》真题及答案
点击查看
你可能感兴趣的试题
BIOS参数的基本设置不包含以下哪个
CPU
HD/FD
内存
显示分辨率
遥控彩电中各种控制参数存储在中
EAROM
ROM
RAM
CPU
卫星通信车小车天线控制器设备受CPU频率影响每次启动时都需要手动设置卫星参数因此工作人员需要在车内准
F820在H248协议下TID如果设置成不等位配置应该用如下命令
MgC h248Tid User-Tid-PrefixAG589User-Tid-iNdex0
MgC h248Tid User-Tid-PrefixAGUser-Tid-iNdex58900
MgC h248Tid User-Tid-PrefixAG58User-Tid-iNdex900
MgC h248Tid User-Tid-PrefixAUser-Tid-iNdexG58900
不需要主板上设置跳线的是
设置内存条的电压
设BIOS参数
设置CPU的电压
设置CPU的工作频率
在物流包装系列尺寸中均是主要标准参数
248mm×2591mm
1200mm×1000mm
600mm×400mm
200mm×200mm
与CPU工作电压密切相关的性能参数是
主频
外频
生产工艺
指令集
CPU的参数如下LGA775/0.09um/L22048/FSB800MHz/盒装其中L22048K
CPU的数据带宽为2048KB/s
CPU的二级缓存为2048KB
CPU的二级缓存为2048kb
CPU的数据带宽为2048Kb/S
手机处理器就是CPU说的通俗点就是手机的大脑负责给手机其它部件发指令的经常说的手机慢爱死机其实都是受
主频
缓存
品牌
芯片
现场用灌砂法测定某土层的干密度试验参数见表试计算该土层的干密度
配置H.248语音参数时USERTID和RTPTID在终端和软交换上不需要配置一致
CPU的主要参数有
主频
字长
外频
以上都是
决定CPU运算速度的主要参数是
主频
外频
内频
副频
哪些参数与H248语音业务无关
语音业务的VLAN
MGC的IP
MG的IP
ONU管理路由
手机处理器就是CPU说的通俗点就是手机的大脑负责给手机其它部件发指令的经常说的手机慢爱死机其实都是受
主频
B缓存
C品牌
D芯片
通常说一款CPU的型号是奔腾4_2.8GHz其中2.8GHz是指CPU的哪项参数
外频
速度
主频
缓存
微机中的CMOS参数属于_____
RAM
ROM
CPU
外存储器
采用H248协议做VOIP语音业务开通时需要在ONU上配置下面哪些参数
SSIP
ONUIP
TID及RTP资源
语音VLAN
在主板上跳线不可以设置
CPU的工作频率
内存电压
BIOS参数
CPU电压
CPU风扇最主要的参数是扇叶尺寸和
噪音
转速
体积
风压
热门试题
更多
什么是扩散效应什么是自掺杂效应这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响随着O2或H2进气量的增加对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化为什么
简述BOE或BHF刻蚀SiO2的原理
简述几种常用的氧化方法及其特点
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺各有什么优缺点
根据曝光方式的不同光学光刻机可以分成几类各有什么优缺点
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关淀积速率的测量采用什么办法
简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况
Si-SiO2界面电荷有哪几种简述其来源及处理办法
典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程
个投影曝光系统采用ArF光源数值孔径为0.6设k1=0.6n=0.5计算其理论分辨率和焦深
离子在靶内运动时损失能量可分核阻滞和电子阻滞解释什么是核阻滞电子阻滞两种阻滞本领与注入离子能量具有何关系
什么是离子注入的横向效应同等能量注入时As和B哪种横向效应更大为什么
影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些
热退火用于消除离子注入造成的损伤温度要低于杂质热扩散的温度然而杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象解释其原因
什么是固相外延SPE及固相外延中存在的问题
写出菲克第一定律和第二定律的表达式并解释其含义
简述常规热氧化办法制备SiO2介质薄膜的动力学过程并说明在什么情况下氧化过程由反应控制或扩散控制
简述你所在工艺的工艺质量要求你如何检查你的工艺质量
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2
单晶片切割的质量要求有哪些
下图为直流等离子放电的I-V曲线请分别写出a-g各段的名称可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段试解释其工作原理
引线焊接有哪些质量要求
对于某种薄膜的CVD过程淀积温度为900℃质量传输系数hG=10cms-1表面反应速率系数ks=1×107exp-1.9eV/kTcms-1现有以下两种淀积系统可供选择1冷壁石墨支座型2热壁堆放硅片型应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由
对RTP来说很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移分析滑移产生的原因如果温度上升速度加快后滑移现象变得更为严重这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的
简述APCVDLPCVDPECVD的特点
简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性
常用溅射技术有哪几种简述它们的工作原理和特点
简述RTP设备的工作原理相对于传统高温炉管它有什么优势
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程
热门题库
更多
半导体芯片制造工
计算机维修工
集成电路制造工艺员
数据通信机务员
华为规范考试
电子仪器仪表装配工考试
计控员考试
通信电力机务员
网络编辑师考试
中国联通考试
信息安全等级测评师
SMT(表面贴装技术)工程师
业余无线电台操作技术能力验证考试
笔记本多技能认证考试
无线电调试工考试
中国南方电网通信技术