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什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?
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集成电路技术《集成电路技术综合练习》真题及答案
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MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容
什么是集成双极晶体管的无源寄生效应
在大规模集成电路中闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管请举出3种微电子工
从半导体加工技术方面看微机上一般多采用
MOS晶体管
DOS晶体管
POS晶体管
常用的电力电子器件有
双极晶体管
绝缘栅双极晶体管
电力MOS场效应管
门极关断晶闸管
场控晶闸管
超高频调谐器要求高输入阻抗低噪声系数以及大动态工作范围为此常选用担当高频放大器
高频晶体管
MOS场效应管
低噪声晶体管
大功率晶体管
功率MOS场效应晶体管具有和
结型场效应晶体管根据结构不同分为
P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应
什么是MOS晶体管的有源寄生效应
绝缘栅双极晶体管具有的优点A晶闸管B单结晶体管C电力场效应管D电力晶体管和电力场效应管
晶闸管
单结晶体管
电力场效应管
电力晶体管和电力场效应管
为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
MOS晶体管的短沟道效应是指什么其对晶体管有什么影响
晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路不对称双稳态电路的延时电路及MOS型 场效应管延时电路三种来实
目前常用的器件主要有哪些
大功率晶体管(GTR)
功率场效应晶体管(MOSFET)
绝缘栅极晶体管(IGBT)
MOS 控制晶闸管(MCT)
场效应晶体管与晶体管有何不同
在离子感烟式火警探测器测量电路中一级二级放大分别采用
晶体管,晶体管
场效应管,晶体管
晶体管,场效应管
场效应管,场效应管
为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分不考虑沟道调制效应
请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响
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