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简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么?主要有哪些方式?并解释各种方式的详细内容。
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集成电路技术《集成电路工艺原理》真题及答案
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半导体级硅的纯度为99.9999999%
CMP是一种表面的技术它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面在硅片和抛光头之间有并同时施加
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄就容易导致高的或者在器件中产生不希望的
目前常用的CVD系统有和
传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化
单晶硅生长常用和两种生长方式生长后的单晶硅被称为
虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结取而代之的是离子注入
芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区扩散区刻蚀区和抛光区
影响CZ直拉法的两个主要参数是和
选择性氧化常见的有和其英语缩略语分别为LOCOS和
缩略语PECVDLPCVDHDPCVD和APCVD的中文名称分别是高密度等离子体化学气相淀积和
西门子工艺生产的硅没有按照希望的晶体顺序排列原子
刻蚀是用或有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程其基本目标是
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是和
CZ直拉法生长单晶硅是把变为并且的固体硅锭
集成电路的制造分为五个阶段分别为硅片测试和拣选终测
制作通孔的主要工艺步骤是123
扩散是物质的一个基本性质分为三种形态扩散扩散和扩散
硅片上的氧化物主要通过和的方法产生由于硅片表面非常平整使得产生的氧化物主要为层状结构所以又称为
成品率是指在一片晶圆上所有芯片中好芯片所占的百分比
在半导体制造业中最早的互连金属是在硅片制造业中最普通的互连金属是即将取代它的金属材料是
扩散是物质的一个基本性质描述了的情况其发生有两个必要条件和
根据氧化剂的不同热氧化可分为和
终点检测是指的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力两种最常用的原位终点检测技术是和
硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料在随后的工艺中要清洗去除
暴露在高温的氧气氛围中硅片上能生长出氧化硅生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料
区熔法是20世纪50年代发展起来的能生产到目前为止最纯的硅单晶含氧量非常少
制备半导体级硅的过程123
硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤和
晶圆制备的九个工艺步骤分别是整型磨片倒角刻蚀清洗检查和包装
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