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硅稳压管工作在击穿区时,其伏安特性是( )。

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反向  反向击穿  正向起始  正向导通  
死区  导通区  截止区  击穿区  
小于0.7V的正向电压  大于0.7V的正向电压  小于击穿电压的反向电压  大于击穿电压的反向电压  
正向电压区  死区电压区  反向电压区  反向击穿区  
正向导电  反向偏置  反向电击穿  反向热击穿  
稳压管不具有单向导电性  稳压管可工作在击穿区,整流二极管不允许  整流二极管可工作在击穿区,稳压管不能  稳压管击穿时端电压稳定,整流管则不然  
正向电压区  死区电压区  反向电压区  反向击穿区  
正向电压区  死电压区  反向击穿区  反向电压区  
二极管和稳压管都可工作在反向击穿区  二极管和稳压管都是由PN结构成的  只要电压不超过稳压值,稳压管可作二极管使用  因稳压管工作在反向击穿区,通过的电流可以任意大  
很小  一定最低  一定最大  一定最高  
正向电压;  反向电压;  反向击穿区  
击穿区  反向击穿区  导通区  反向导通区  
加正向电压,且大于死区电压  加正向电压,且小于死区电压  加反向电压,且小于击穿电压  加反向电压,且大于击穿电压  

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